--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AUIRFR8405TRR是一款高性能單N溝道場效應(yīng)晶體管(MOSFET),封裝為TO-252。該器件采用溝槽技術(shù),專為高電流和低導(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)計。具有40V的漏極-源極電壓(VDS)和高達(dá)120A的最大連續(xù)漏極電流。其極低的導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高效能的電源管理和開關(guān)電路,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: AUIRFR8405TRR
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 40V
- **柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 3mΩ(VGS = 4.5V)
- 1.6mΩ(VGS = 10V)
- **連續(xù)漏極電流(ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench(溝槽技術(shù))

### 適用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理**:AUIRFR8405TRR非常適合用于高效能電源管理系統(tǒng),例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān),其極低的導(dǎo)通電阻能夠顯著降低功耗并提高轉(zhuǎn)換效率,適合高電流應(yīng)用。
2. **電動汽車**:在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET憑借其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,可以提供高效的電流開關(guān)功能,確保電動汽車系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。
3. **高功率開關(guān)電路**:用于需要高電流和高功率的開關(guān)電路,如電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān),其低導(dǎo)通電阻和高電流能力能夠有效提高系統(tǒng)的可靠性和效率。
4. **工業(yè)應(yīng)用**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,如電源切換和電動設(shè)備控制,AUIRFR8405TRR的高電流和低導(dǎo)通電阻特性確保了可靠的操作和較低的功耗,適合嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它