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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AUIRFZ48ZS-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AUIRFZ48ZS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**AUIRFZ48ZS-VB** 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO263封裝。它設(shè)計(jì)用于高電流和高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,具有60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,這使得該MOSFET在較低的柵源電壓下也能有效導(dǎo)通。AUIRFZ48ZS-VB具有低導(dǎo)通電阻,分別為12mΩ(在VGS=4.5V時(shí))和11mΩ(在VGS=10V時(shí)),提供優(yōu)良的電流傳輸性能。最大連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)75A,采用Trench技術(shù)優(yōu)化了導(dǎo)通性能和熱管理,適用于多種高電流應(yīng)用場(chǎng)景。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **型號(hào):** AUIRFZ48ZS-VB
2. **封裝:** TO263
3. **配置:** 單N溝道
4. **漏源電壓(VDS):** 60V
5. **柵源電壓(VGS):** ±20V
6. **閾值電壓(Vth):** 1.7V
7. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
  - 12mΩ @ VGS=4.5V
  - 11mΩ @ VGS=10V
8. **連續(xù)漏極電流(ID):** 75A
9. **技術(shù):** Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

**AUIRFZ48ZS-VB** MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用。在汽車(chē)電子領(lǐng)域,這款MOSFET適用于電動(dòng)窗、座椅控制和車(chē)載電源管理系統(tǒng),提供高效的電流開(kāi)關(guān)能力和穩(wěn)定的性能。在計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備的電源模塊中,它能夠用于高效的電源轉(zhuǎn)換,減少功耗并提升系統(tǒng)效率。在家電產(chǎn)品中,如洗衣機(jī)、空調(diào)等,該MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率調(diào)節(jié),保證設(shè)備的可靠運(yùn)行。此外,在電池管理系統(tǒng)和功率放大器中,AUIRFZ48ZS-VB的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想選擇,能夠提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

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