--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**AUIRFZ48ZS-VB** 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO263封裝。它設(shè)計(jì)用于高電流和高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用,具有60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,這使得該MOSFET在較低的柵源電壓下也能有效導(dǎo)通。AUIRFZ48ZS-VB具有低導(dǎo)通電阻,分別為12mΩ(在VGS=4.5V時(shí))和11mΩ(在VGS=10V時(shí)),提供優(yōu)良的電流傳輸性能。最大連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)75A,采用Trench技術(shù)優(yōu)化了導(dǎo)通性能和熱管理,適用于多種高電流應(yīng)用場(chǎng)景。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **型號(hào):** AUIRFZ48ZS-VB
2. **封裝:** TO263
3. **配置:** 單N溝道
4. **漏源電壓(VDS):** 60V
5. **柵源電壓(VGS):** ±20V
6. **閾值電壓(Vth):** 1.7V
7. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
8. **連續(xù)漏極電流(ID):** 75A
9. **技術(shù):** Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例
**AUIRFZ48ZS-VB** MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用。在汽車(chē)電子領(lǐng)域,這款MOSFET適用于電動(dòng)窗、座椅控制和車(chē)載電源管理系統(tǒng),提供高效的電流開(kāi)關(guān)能力和穩(wěn)定的性能。在計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備的電源模塊中,它能夠用于高效的電源轉(zhuǎn)換,減少功耗并提升系統(tǒng)效率。在家電產(chǎn)品中,如洗衣機(jī)、空調(diào)等,該MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率調(diào)節(jié),保證設(shè)備的可靠運(yùn)行。此外,在電池管理系統(tǒng)和功率放大器中,AUIRFZ48ZS-VB的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其成為理想選擇,能夠提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛