91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BSC018NE2LS-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC018NE2LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSC018NE2LS-VB 是一款采用 DFN8 (5x6) 封裝的單通道 N 溝道 MOSFET,適用于低電壓、高電流應(yīng)用。其具有 30V 的漏極-源極耐壓、20V 的柵極-源極耐壓、以及 1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,具有 2.5mΩ 的導(dǎo)通電阻,在 10V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下則為 1.8mΩ。其最大漏極電流可達(dá) 160A,采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù)制造,適合高性能的電源管理應(yīng)用。

### 參數(shù)說明
- **型號(hào)**: BSC018NE2LS-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSC018NE2LS-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**: 在高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,用于高效電流傳輸和開關(guān)操作。
- **電動(dòng)汽車**: 在電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)中,作為高電流開關(guān),處理電池和電機(jī)之間的功率轉(zhuǎn)換。
- **計(jì)算機(jī)和服務(wù)器**: 用于高性能計(jì)算系統(tǒng)中的電源模塊,優(yōu)化電源分配和熱管理。
- **工業(yè)控制**: 在工業(yè)設(shè)備中作為高電流開關(guān),確保可靠的電源切換和負(fù)載控制。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    532瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    453瀏覽量