--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**BSC032N03S G-VB** 是一款高性能單通道 N 型 MOSFET,封裝形式為 DFN8(5x6)。該器件設(shè)計(jì)用于低電壓、高電流的應(yīng)用場(chǎng)景,能夠處理最大漏極電流 160A。其具有非常低的 RDS(ON)(1.8mΩ @ VGS=10V),有助于降低功耗和熱量。閾值電壓為 1.7V,柵極-源極耐壓為 ±20V,確保在各種工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: BSC032N03S G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術(shù)**: 溝道工藝 (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
**BSC032N03S G-VB** 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用:
1. **電源管理系統(tǒng)**:適用于高效的電源轉(zhuǎn)換和管理,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和高效電源模塊,其低 RDS(ON) 能顯著降低功耗和熱損耗。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:用于電機(jī)控制電路,支持高電流開(kāi)關(guān),適合各種電動(dòng)工具、電動(dòng)車(chē)輛和工業(yè)電機(jī)。
3. **汽車(chē)電子**:在汽車(chē)電子設(shè)備中處理高電流負(fù)載,如電動(dòng)窗戶(hù)、座椅調(diào)整系統(tǒng)和照明控制。
4. **電池充電**:用于電池管理系統(tǒng)和充電器,優(yōu)化電池充放電過(guò)程,增強(qiáng)系統(tǒng)的效率和可靠性。
5. **計(jì)算機(jī)和服務(wù)器**:在數(shù)據(jù)中心的電源模塊中應(yīng)用,提供高電流開(kāi)關(guān)能力,支持高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)處理。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛