91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BSC080N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC080N03MS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

BSC080N03MS G-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET 使用Trench技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,非常適合需要高效率和高可靠性的電子系統(tǒng)。

### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

| 參數(shù)            | 數(shù)值            |
|-----------------|-----------------|
| **封裝類型**     | DFN8(5x6)       |
| **配置**         | 單N溝道         |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | 30V             |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V            |
| **閾值電壓 (Vth)**       | 1.7V            |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**    | 9mΩ @ VGS=4.5V  |
|                         | 7mΩ @ VGS=10V  |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)**     | 80A             |
| **技術(shù)**         | Trench          |

 

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

 

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**
  BSC080N03MS G-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)卓越,低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中發(fā)揮重要作用,有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)性能。

2. **電源管理**
  在電源管理系統(tǒng)中,例如電源開關(guān)和電流調(diào)節(jié)應(yīng)用,BSC080N03MS G-VB 的高電流承載能力和低RDS(ON) 特性使其非常適合用作開關(guān)元件,提升系統(tǒng)的效率和可靠性。

3. **電動汽車**
  對于電動汽車的電池管理和驅(qū)動系統(tǒng),BSC080N03MS G-VB 能夠處理較大的電流并提供低導(dǎo)通電阻,從而幫助提高電動汽車的性能和續(xù)航能力。

4. **工業(yè)電機(jī)控制**
  在工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中,BSC080N03MS G-VB 提供了高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,確保電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運(yùn)行。

BSC080N03MS G-VB 以其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于各種需要高效能和高可靠性的低電壓應(yīng)用領(lǐng)域。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    532瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    453瀏覽量