--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**型號(hào):BSC0901NS-VB**
BSC0901NS-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝。該MOSFET使用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,專為高效能的電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSC0901NS-VB支持高達(dá)30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),其門檻電壓(Vth)為1.7V,確保在較低的柵極電壓下能夠可靠開啟。該MOSFET在4.5V柵極電壓下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2.5mΩ,在10V柵極電壓下為1.8mΩ,能夠提供高達(dá)160A的連續(xù)漏極電流(ID),在高電流和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明
- **型號(hào)**: BSC0901NS-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V: 2.5mΩ
- @VGS = 10V: 1.8mΩ
- **連續(xù)漏極電流(ID)**: 160A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**電源管理系統(tǒng)**:BSC0901NS-VB因其極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適用于高效電源管理系統(tǒng)。在DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和高性能電源供應(yīng)單元中,這款MOSFET能夠顯著降低功耗,提高系統(tǒng)效率,適合在計(jì)算機(jī)電源、通信設(shè)備電源和消費(fèi)電子產(chǎn)品中使用。
**電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)中,BSC0901NS-VB的高電流能力和低RDS(ON)特性使其能夠處理大電流,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。這對(duì)于電動(dòng)汽車的電機(jī)控制和電池充電/放電管理至關(guān)重要,有助于提升電動(dòng)汽車的性能和續(xù)航能力。
**工業(yè)電源**:BSC0901NS-VB適用于高功率工業(yè)電源應(yīng)用,如變頻器和工業(yè)電源供應(yīng)單元。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻可以處理高功率負(fù)載,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)作和長(zhǎng)期穩(wěn)定性,適合在各種工業(yè)電源和動(dòng)力系統(tǒng)中使用。
**LED驅(qū)動(dòng)器**:對(duì)于高功率LED照明應(yīng)用,BSC0901NS-VB提供的低導(dǎo)通電阻可以有效減少功耗和熱量,提升LED的效率和使用壽命。這使其在高亮度LED照明系統(tǒng)和高功率LED驅(qū)動(dòng)模塊中表現(xiàn)優(yōu)異。
**高性能開關(guān)**:在需要高電流和低功耗的開關(guān)應(yīng)用中,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率轉(zhuǎn)換和高功率開關(guān)模塊,BSC0901NS-VB能夠提供穩(wěn)定和高效的開關(guān)性能。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其成為高效開關(guān)系統(tǒng)的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛