91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BSC520N15NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSC520N15NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BSC520N15NS3 G-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET,封裝為DFN8(5x6)。此MOSFET具有150V的漏源電壓(VDS)和最大±20V的柵極源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為3V,導通電阻為15.8mΩ(VGS=10V),最大漏電流為53.7A。MOSFET采用溝槽技術,適合用于高電壓和中等電流的電源和負載開關應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: BSC520N15NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 150V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 15.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 53.7A
- **技術**: 溝槽技術

### 適用領域和模塊

**BSC520N15NS3 G-VB** 功率MOSFET 適用于以下領域和模塊:

1. **高電壓電源管理**:在高電壓開關電源中用作開關元件,適合處理高電壓負載,提供高效的電源轉換。

2. **功率逆變器**:在光伏系統(tǒng)或UPS(不間斷電源)系統(tǒng)中作為開關元件,實現(xiàn)高電壓直流到交流的轉換,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。

3. **電動汽車和工業(yè)電機驅動**:用于高電壓電機驅動系統(tǒng),能夠處理較高電壓的負載,適合電動汽車和工業(yè)自動化中的電機應用。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池保護和管理系統(tǒng)中,用于高電壓應用,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性,特別適合高電壓負載的應用場景。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    533瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    454瀏覽量