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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSL315P-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSL315P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-P+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSL315P-VB是一款雙管P溝道MOSFET,封裝形式為SOT23-6。該MOSFET支持-20V的漏極-源極耐壓和±12V的柵極-源極耐壓,具有-0.6V的門(mén)檻電壓。采用Trench技術(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻,適合用于各種低電壓開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用。

### 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSL315P-VB
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 雙管P溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±12V
- **門(mén)檻電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 100mΩ
 - 4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 75mΩ
- **漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSL315P-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源開(kāi)關(guān)**: 用于低電壓電源開(kāi)關(guān)中,提供高效的開(kāi)關(guān)控制,降低功率損耗。
2. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**: 適用于各種負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,能夠在負(fù)電壓下穩(wěn)定工作,確保系統(tǒng)可靠性。
3. **電池管理**: 在電池管理系統(tǒng)中,作為開(kāi)關(guān)元件處理負(fù)電流,提供有效的電源切換和保護(hù)。
4. **開(kāi)關(guān)電源**: 用于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,作為高效的開(kāi)關(guān)元件,支持低電壓和高電流的電源轉(zhuǎn)換。

該MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其在要求高效、可靠的低電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

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