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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSO4804-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSO4804-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BSO4804-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

BSO4804-VB 是一款高性能雙N通道MOSFET,封裝在SOP8外殼中。該MOSFET 設(shè)計用于高效能和緊湊封裝的應(yīng)用場合。其最大漏極-源極電壓(VDS)為30V,柵極-源極電壓(VGS)容差為±20V,適用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。BSO4804-VB 的閾值電壓(Vth)為1.7V,確保在較低柵極電壓下能夠可靠啟動。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS = 4.5V 時為20mΩ,在VGS = 10V 時為16mΩ,提供了良好的功率傳輸和低功耗。該MOSFET 的連續(xù)漏極電流(ID)為8.5A,適合處理中等電流負(fù)荷。BSO4804-VB 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),優(yōu)化了其開關(guān)性能和整體能效。

### BSO4804-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型:** SOP8
- **配置:** 雙N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 4.5V 時為 20mΩ
 - VGS = 10V 時為 16mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 8.5A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### BSO4804-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域

BSO4804-VB MOSFET 的雙N通道配置和低導(dǎo)通電阻使其在多個領(lǐng)域中具有優(yōu)異的應(yīng)用表現(xiàn)。例如,在電源管理系統(tǒng)中,這款MOSFET 可以用作高效的電源開關(guān)和電源調(diào)節(jié)模塊,處理中等電流負(fù)荷并優(yōu)化能效。在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如智能手機(jī)和筆記本電腦,BSO4804-VB 可用于電池管理和電源分配模塊,提供高效和穩(wěn)定的電流供應(yīng)。在通信設(shè)備中,它可以用于信號開關(guān)和放大器,因其低導(dǎo)通電阻和高效開關(guān)性能能夠顯著提升設(shè)備的性能。此外,該MOSFET 也適合用于高效能LED驅(qū)動器和其他中功率電子設(shè)備,提升整體性能和功率效率。

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