--- 產品參數(shù) ---
- 封裝 SC70-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
BSS138DW-VB 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET,封裝為 SC70-6,設計用于低電流開關和信號處理應用。其具備 60V 的漏極-源極耐壓、±20V 的柵極-源極耐壓和 1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅動電壓下,導通電阻為 3200mΩ,在 10V 的柵極驅動電壓下為 2500mΩ。最大漏極電流為 0.3A,采用 Trench 技術,適用于低功耗和小型電子設備。
### 參數(shù)說明
- **型號**: BSS138DW-VB
- **封裝**: SC70-6
- **配置**: 雙通道 N 溝道 MOSFET(N+N)
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3200mΩ @ VGS = 4.5V
- 2500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 0.3A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域
BSS138DW-VB 適用于以下領域和模塊:
- **低電流開關**: 在低電流開關應用中控制信號或小功率負載,適合移動設備和便攜式電子產品。
- **信號處理**: 用于信號開關和小功率負載控制,確保高效和穩(wěn)定的信號處理。
- **開關電源**: 在開關電源電路中作為開關元件,處理小功率和低電流的應用。
- **消費電子**: 適用于低功耗消費電子產品中的開關控制,如智能手表、傳感器和小型家電。
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