--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SC70-3
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡介:**
BSS138W-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封裝為 SC70-3,設計用于中等電壓的小型開關(guān)應用。該 MOSFET 的 VDS(漏極-源極最大電壓)為 60V,最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V,漏極電流 ID 達到 0.3A。其導通電阻 RDS(ON) 為 4000mΩ(在 VGS=4.5V 時)和 2000mΩ(在 VGS=10V 時),采用溝槽型工藝技術(shù),適合用于低功耗、小型開關(guān)電路。
**詳細參數(shù)說明:**
- **封裝**: SC70-3
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: 60V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 4000mΩ @ VGS = 4.5V;2000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: 溝槽型工藝

**應用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **小型電源開關(guān)**:在便攜式電子設備和小型電源管理模塊中,BSS138W-VB 的小型封裝和適中導通電阻使其成為高效能開關(guān)的理想選擇。
2. **信號開關(guān)**:適用于低電流信號開關(guān)電路,如低功耗傳感器和控制信號的開關(guān),能夠在小型電子設計中提供可靠的開關(guān)功能。
3. **過壓保護**:用于過壓保護電路,在電子設備需要對電壓過高的情況進行保護時,BSS138W-VB 能夠有效地承受和處理高電壓保護需求。
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