91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BSZ088N03MS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSZ088N03MS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

**型號:BSZ088N03MS G-VB**
- **封裝類型**:DFN8 (3x3)
- **配置**:單N溝道MOSFET
- **技術(shù)**:溝槽式

BSZ088N03MS G-VB 是一款高效能的N溝道MOSFET,采用了先進的溝槽技術(shù)。這款MOSFET具備低導通電阻、較高的電流處理能力及穩(wěn)定的柵極驅(qū)動電壓,適用于多種電源管理和開關應用。其緊湊的DFN8 (3x3)封裝使其特別適合于空間受限的應用場合。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:DFN8 (3x3)
- **配置**:單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V 柵極驅(qū)動電壓時:5mΩ
 - 10V 柵極驅(qū)動電壓時:3.9mΩ
- **漏極電流 (ID)**:60A
- **技術(shù)**:溝槽式

### 三、應用領域及模塊舉例

**1. 電源管理**
  - **領域**:消費電子、電信設備、計算機和服務器
  - **模塊**:DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關、同步整流器
  - **說明**:BSZ088N03MS G-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,以提高能效并減少功率損耗。在負載開關應用中,這款MOSFET能夠提供高效的開關性能,適用于需要頻繁切換的大電流應用。在同步整流器中,它的低導通電阻可以顯著減少整流損耗。

**2. 汽車電子**
  - **領域**:電動汽車、車載信息娛樂系統(tǒng)、汽車照明
  - **模塊**:電機驅(qū)動、電子控制單元 (ECU)、LED驅(qū)動器
  - **說明**:在電動汽車的電機驅(qū)動中,BSZ088N03MS G-VB 能夠處理高電流,提供穩(wěn)定的性能,確保電機高效運行。在汽車的電子控制單元 (ECU) 中,這款MOSFET 能夠處理復雜的電源管理任務,提供可靠的操作。在LED驅(qū)動器中,它的高效能和低熱損耗有助于延長LED的使用壽命。

**3. 工業(yè)應用**
  - **領域**:工業(yè)自動化、智能電網(wǎng)、機器人
  - **模塊**:電源模塊、控制系統(tǒng)、驅(qū)動電路
  - **說明**:在工業(yè)自動化和智能電網(wǎng)應用中,BSZ088N03MS G-VB 的高電流處理能力和低導通電阻能夠確保系統(tǒng)高效運行和低能耗。在機器人應用中,它能夠提供穩(wěn)定和高效的電力驅(qū)動,使機器人各部件協(xié)同工作更加順暢。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    533瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    457瀏覽量