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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSZ097N04LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSZ097N04LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BSZ097N04LS G-VB 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品簡介:**
BSZ097N04LS G-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用DFN8 (3x3) 封裝技術(shù)。其最大漏極電壓(VDS)為40V,柵極電壓(VGS)最大為±20V,閾值電壓(Vth)為2.5V。具有極低的導通電阻(RDS(ON)),在柵極電壓為4.5V時為6mΩ,在柵極電壓為10V時為4.5mΩ。該MOSFET的最大連續(xù)漏極電流(ID)為40A,采用先進的溝槽技術(shù)(Trench)制造。

### BSZ097N04LS G-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)            | 值                          |
|----------------|----------------------------|
| **封裝類型**   | DFN8 (3x3)                 |
| **配置**       | 單N溝道                    |
| **最大漏極電壓(VDS)** | 40V                        |
| **最大柵極電壓(VGS)** | ±20V                       |
| **閾值電壓(Vth)**      | 2.5V                       |
| **導通電阻(RDS(ON))** | 6mΩ @ VGS=4.5V;4.5mΩ @ VGS=10V |
| **最大連續(xù)漏極電流(ID)** | 40A                        |
| **技術(shù)**       | 溝槽(Trench)              |

### BSZ097N04LS G-VB 適用領(lǐng)域和模塊

**電源管理模塊:** BSZ097N04LS G-VB 在電源管理模塊中具有廣泛的應用,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中。其低導通電阻和高電流處理能力使其在這些應用中能夠?qū)崿F(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和散熱管理,從而提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

**電機驅(qū)動模塊:** 在電機驅(qū)動應用中,這款MOSFET能夠提供高電流驅(qū)動能力和快速開關(guān)性能。它適用于電動工具、工業(yè)電機控制和家電中的電機驅(qū)動模塊,能夠提高系統(tǒng)的響應速度和控制精度。

**汽車電子模塊:** BSZ097N04LS G-VB 適用于汽車電子中的各種模塊,如電源控制單元、車身控制模塊和發(fā)動機控制單元。其高可靠性和低導通電阻能夠在汽車電子系統(tǒng)中提供高效能量傳遞和穩(wěn)定性能,滿足嚴苛的汽車應用要求。

**照明控制模塊:** 在LED照明控制應用中,這款MOSFET能夠高效地調(diào)節(jié)電流,提供穩(wěn)定的照明效果。其高效能和低熱阻使其在高功率LED驅(qū)動器中具有廣泛的應用,提高照明系統(tǒng)的能效和壽命。

綜上所述,BSZ097N04LS G-VB 是一款多功能、高性能的MOSFET,適用于多個領(lǐng)域和模塊,其卓越的電氣特性和可靠性使其在各種應用中都能夠表現(xiàn)出色。

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