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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSZ160N10NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: BSZ160N10NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、BSZ160N10NS3 G-VB產(chǎn)品簡介

BSZ160N10NS3 G-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用先進的溝槽技術,封裝為DFN8(3x3)。該器件具有極低的導通電阻和高漏極電流能力,適用于需要高效率和高開關速度的應用。最大漏源電壓為100V,柵源電壓為±20V,導通電阻為10mΩ(在VGS=10V時)。其最大連續(xù)漏極電流為50A,使其非常適合用于高功率應用,如電源管理和電機驅(qū)動。

### 二、BSZ160N10NS3 G-VB詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)               | 值                                        |
|--------------------|-------------------------------------------|
| 封裝類型           | DFN8(3x3)                                  |
| 配置               | 單N溝道                                    |
| 最大漏源電壓 (VDS) | 100V                                       |
| 最大柵源電壓 (VGS) | ±20V                                       |
| 閾值電壓 (Vth)     | 2.5V                                       |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 10mΩ @ VGS=10V                             |
| 最大漏極電流 (ID)  | 50A                                        |
| 技術               | 溝槽技術                                   |

### 三、應用領域和模塊舉例

1. **高功率直流-直流轉換器(High-Power DC-DC Converter)**:BSZ160N10NS3 G-VB由于其高電流能力和低導通電阻,特別適合用于高功率的直流-直流轉換器。其在服務器電源、工業(yè)電源和大功率電池供電設備中能夠提供高效的電力轉換,減少能量損耗。

2. **電源管理模塊(Power Management Module)**:在復雜的電源管理系統(tǒng)中,這款MOSFET的高電流處理能力和低導通電阻使其成為理想選擇。它可以應用于高效的電壓穩(wěn)壓器、電源開關和負載開關中,提高電源管理的效率和可靠性,適用于電動汽車和高性能計算設備等領域。

3. **電機驅(qū)動(Motor Drive)**:BSZ160N10NS3 G-VB的高電流處理能力使其非常適合用于電機驅(qū)動應用,如電動工具、電動自行車和工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)。其低導通電阻和高開關速度有助于提高電機驅(qū)動的整體效率和響應速度。

4. **功率開關(Power Switch)**:該MOSFET在功率開關應用中表現(xiàn)出色,能夠處理較高的電壓和電流,適用于電力開關、繼電器替代和高功率負載開關的場合,如家用電器、工業(yè)設備和電力控制系統(tǒng)。

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