--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、BSZ520N15NS3 G-VB產(chǎn)品簡介
BSZ520N15NS3 G-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用先進的溝槽技術(shù),封裝為DFN8(3x3)。這款MOSFET具有較高的漏源電壓承受能力和適中的導(dǎo)通電阻,適合于高壓和中高電流的應(yīng)用。其最大漏源電壓為150V,柵源電壓為±20V,導(dǎo)通電阻在VGS=10V時為35mΩ,最大連續(xù)漏極電流為25.5A。BSZ520N15NS3 G-VB在高壓電源管理和功率開關(guān)等領(lǐng)域表現(xiàn)出色,提供了良好的性能和可靠性。
### 二、BSZ520N15NS3 G-VB詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 |
|--------------------|--------------------------------------------|
| 封裝類型 | DFN8(3x3) |
| 配置 | 單N溝道 |
| 最大漏源電壓 (VDS) | 150V |
| 最大柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 35mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏極電流 (ID) | 25.5A |
| 技術(shù) | 溝槽技術(shù) |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器(High-Voltage DC-DC Converter)**:BSZ520N15NS3 G-VB由于其150V的高漏源電壓能力,非常適合用于高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。這類轉(zhuǎn)換器常見于高壓電源系統(tǒng)、電動汽車的電池管理系統(tǒng)以及工業(yè)自動化設(shè)備中。它能夠有效地處理高電壓,并保持較低的導(dǎo)通電阻,提高系統(tǒng)的整體效率。
2. **功率開關(guān)(Power Switch)**:在需要處理高電壓和中高電流的功率開關(guān)應(yīng)用中,這款MOSFET表現(xiàn)出色。例如,在家用電器、工業(yè)設(shè)備以及電力控制系統(tǒng)中,BSZ520N15NS3 G-VB可以作為高壓負(fù)載開關(guān),用于控制大功率設(shè)備的電源開關(guān),提供可靠的開關(guān)控制。
3. **電源管理模塊(Power Management Module)**:BSZ520N15NS3 G-VB可用于高壓電源管理系統(tǒng)中的電源開關(guān)和電壓穩(wěn)壓器。其高漏源電壓和中等導(dǎo)通電阻使其在電源管理模塊中非常有用,如在通信設(shè)備、計算機電源系統(tǒng)及工業(yè)控制系統(tǒng)中進行高壓電源的管理和調(diào)節(jié)。
4. **電動汽車(Electric Vehicle)**:在電動汽車中,BSZ520N15NS3 G-VB可以用于電池管理系統(tǒng)和高壓電源開關(guān)。其高電壓和高電流處理能力,使其能夠承受電池組和高壓電源系統(tǒng)中的高電壓,提供穩(wěn)定可靠的性能,確保車輛電氣系統(tǒng)的正常運行。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12