91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BUK436-60B-VB一款Single-N溝道TO247的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BUK436-60B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO247
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**BUK436-60B** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET),采用TO247封裝。這款MOSFET使用了溝槽(Trench)技術(shù),具有非常低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,專為高功率應(yīng)用設(shè)計。它適用于要求高開關(guān)速度和高效能的電源管理和開關(guān)電路,特別是在高電流應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: BUK436-60B
- **封裝**: TO247
- **配置**: 單極N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極-源極耐壓(V_DS)**: 60V
- **柵極-源極耐壓(V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓(V_th)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))**: 7mΩ(在V_GS = 10V時)
- **漏極電流(I_D)**: 150A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

**1. 高功率電源管理:**  
BUK436-60B 的150A漏極電流能力和7mΩ低導(dǎo)通電阻使其非常適合高功率電源管理應(yīng)用。它可以用于高電流DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān)模塊,在高功率負(fù)載下提供高效穩(wěn)定的開關(guān)性能。

**2. 電機驅(qū)動系統(tǒng):**  
在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,BUK436-60B 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理大功率電機的開關(guān)和控制。這使其成為電機控制器中理想的高功率開關(guān)器件,確保電機的穩(wěn)定運行。

**3. 逆變器和電力變換器:**  
在逆變器和電力變換器中,這款MOSFET 可以處理高電流和高功率的電力轉(zhuǎn)換任務(wù),例如在太陽能逆變器和電力變換系統(tǒng)中。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了高效的電力轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定性。

**4. 電池管理系統(tǒng):**  
BUK436-60B 適用于電池管理系統(tǒng)中的高電流開關(guān)和保護應(yīng)用。它能夠在電池充電和放電過程中處理大電流負(fù)載,提供安全的過流保護和高效能量管理。

**5. 汽車電子:**  
在汽車電子系統(tǒng)中,這款MOSFET 適用于高功率開關(guān)應(yīng)用,如電池保護、電源管理和高電流負(fù)載控制。其優(yōu)異的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠滿足汽車環(huán)境中的高功率要求。

這些應(yīng)用示例展示了 BUK436-60B 在高電流和高功率環(huán)境中的廣泛適用性,其卓越的電氣特性使其成為高性能電子設(shè)備的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    533瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    457瀏覽量