--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:BUK545-100B-VB
BUK545-100B-VB 是一款由Nexperia(前飛利浦半導(dǎo)體)生產(chǎn)的單通道N溝道功率MOSFET,采用TO220封裝。該MOSFET設(shè)計用于高電壓和高電流的開關(guān)應(yīng)用,具有優(yōu)良的導(dǎo)通特性和可靠性。其Trench工藝技術(shù)使其在高壓和大電流條件下表現(xiàn)穩(wěn)定,適用于需要高效功率管理和開關(guān)的場合。
### 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:BUK545-100B-VB
- **封裝**:TO220
- **通道配置**:單通道N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:127mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **開關(guān)電源(SMPS)**
- BUK545-100B-VB 在開關(guān)電源中作為開關(guān)元件使用,能夠處理高達100V的漏源電壓,非常適合用于高壓開關(guān)電源的設(shè)計。其高ID和適中的RDS(ON)確保了電源的高效率和穩(wěn)定性。
2. **高功率電機驅(qū)動**
- 在電機驅(qū)動應(yīng)用中,BUK545-100B-VB 由于其能夠承受高電壓和大電流,非常適合用于高功率電機的控制。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性幫助提高系統(tǒng)的耐用性和功率轉(zhuǎn)換效率。
3. **汽車電子系統(tǒng)**
- 在汽車電子系統(tǒng)中,BUK545-100B-VB 可用于電動窗戶控制、座椅調(diào)節(jié)和燈光控制等模塊。其高耐壓特性使其能夠在汽車的嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定工作,保證了電子系統(tǒng)的可靠性和安全性。
4. **電池管理系統(tǒng)**
- 該MOSFET在電池管理系統(tǒng)中可用于保護電路和充放電控制,特別是在需要處理較高電壓的場合。其高VDS和適中的RDS(ON)幫助確保電池的穩(wěn)定性和管理效率。
通過這些應(yīng)用實例可以看出,BUK545-100B-VB 適用于高電壓和高電流的開關(guān)應(yīng)用,提供了高效、可靠的功率管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12