91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BUK6207-30C-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BUK6207-30C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK6207-30C-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品名稱**: BUK6207-30C-VB

**封裝**: TO-252

**配置**: 單極N溝MOSFET

BUK6207-30C-VB是一款高性能的N溝MOSFET,適用于需要高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。該MOSFET采用緊湊的TO-252封裝,利用先進(jìn)的Trench技術(shù),提供卓越的效率和可靠性,非常適合各種高功率電子電路。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **V_DS(漏源電壓)**: 30V  
 MOSFET漏極與源極之間能夠承受的最大電壓。

- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V  
 MOSFET柵極與源極之間允許的最大電壓。

- **V_th(柵極閾值電壓)**: 1.7V  
 使MOSFET開始導(dǎo)通所需的最小柵源電壓。

- **R_DS(ON)(漏源導(dǎo)通電阻)**:
 - 3mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 2mΩ @ V_GS = 10V  
 MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下漏極與源極之間的電阻。電阻值越低,性能越好,功率損耗和發(fā)熱量越少。

- **I_D(連續(xù)漏極電流)**: 100A  
 MOSFET能夠承受的最大連續(xù)漏極電流。

- **技術(shù)**: Trench  
 采用Trench技術(shù),提供優(yōu)越的效率和低導(dǎo)通電阻。

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BUK6207-30C-VB MOSFET非常適合需要高電流和低電阻的應(yīng)用場(chǎng)合:

1. **電源管理**:
  - **高電流開關(guān)**: 適用于需要高電流開關(guān)的應(yīng)用,如電源供應(yīng)系統(tǒng),其低R_DS(ON)可以減少功率損耗,提高效率。
  - **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中,實(shí)現(xiàn)高效的電力轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié),適合空間和散熱要求嚴(yán)格的系統(tǒng)。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  - **工業(yè)電機(jī)控制**: 適合工業(yè)自動(dòng)化中的高電流電機(jī)驅(qū)動(dòng),能夠處理大量電流且發(fā)熱量小。
  - **電動(dòng)汽車**: 適用于電動(dòng)汽車(EV)的高功率電機(jī)控制,為驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)提供高效可靠的開關(guān)。

3. **汽車應(yīng)用**:
  - **電力分配模塊**: 用于汽車電力分配系統(tǒng),確保高電流負(fù)載的可靠和高效開關(guān)。
  - **電池管理系統(tǒng)(BMS)**: 提高混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車中的BMS性能,有效管理高電流流動(dòng)。

4. **消費(fèi)電子**:
  - **電源供應(yīng)單元(PSU)**: 適用于高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品如游戲電腦和高性能音響系統(tǒng)中的電源供應(yīng)單元,提供高效率。
  - **充電解決方案**: 在需要高電流充電的設(shè)備充電電路中提供高效可靠的開關(guān)。

BUK6207-30C-VB以其卓越的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,成為高功率應(yīng)用中的優(yōu)秀選擇,確保高效和可靠的性能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    527瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    449瀏覽量