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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK6217-55C-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BUK6217-55C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK6217-55C-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品名稱(chēng)**: BUK6217-55C-VB

**封裝**: TO-252

**配置**: 單極N溝MOSFET

BUK6217-55C-VB是一款高性能N溝MOSFET,適用于要求高電壓和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用。該MOSFET采用緊湊的TO-252封裝,利用先進(jìn)的Trench技術(shù),提供出色的效率和高電流處理能力,是各種高功率電子電路的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **V_DS(漏源電壓)**: 60V  
 MOSFET漏極與源極之間的最大耐壓。

- **V_GS(柵源電壓)**: ±20V  
 柵極與源極之間的最大允許電壓。

- **V_th(柵極閾值電壓)**: 2.5V  
 使MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通所需的最小柵源電壓。

- **R_DS(ON)(漏源導(dǎo)通電阻)**:
 - 13mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 10mΩ @ V_GS = 10V  
 MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下漏極與源極之間的電阻值。較低的R_DS(ON)值表示更高的開(kāi)關(guān)效率和更低的功率損耗。

- **I_D(連續(xù)漏極電流)**: 58A  
 MOSFET能夠承受的最大連續(xù)漏極電流。

- **技術(shù)**: Trench  
 采用Trench技術(shù),提供優(yōu)秀的效率和低導(dǎo)通電阻。

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BUK6217-55C-VB MOSFET適合多種需要高電流和低電阻的應(yīng)用場(chǎng)合:

1. **電源管理**:
  - **高效電源開(kāi)關(guān)**: 在電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,如高效開(kāi)關(guān)電源(SMPS),其低R_DS(ON)值可以顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)整體效率。
  - **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠在電力轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié)中提供高效的性能。

2. **電機(jī)控制**:
  - **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)或電動(dòng)汽車(chē)(EV)電機(jī)控制,能夠處理大電流且具備高效率。
  - **伺服電機(jī)**: 在精密控制系統(tǒng)中,如機(jī)器人和自動(dòng)化設(shè)備,提供高效可靠的開(kāi)關(guān)能力。

3. **汽車(chē)應(yīng)用**:
  - **電力分配系統(tǒng)**: 用于汽車(chē)電力分配系統(tǒng),處理高電流負(fù)載的開(kāi)關(guān),確保電力系統(tǒng)的可靠性和效率。
  - **電池管理系統(tǒng)(BMS)**: 提高混合動(dòng)力車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)中的電池管理性能,處理高電流并優(yōu)化電池使用。

4. **消費(fèi)電子**:
  - **電源供應(yīng)單元(PSU)**: 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中的高功率電源供應(yīng)單元(如高性能計(jì)算機(jī)和音響系統(tǒng))中提供高效電源管理。
  - **充電電路**: 適用于高電流充電應(yīng)用,如電池充電器和快速充電系統(tǒng),提供高效的充電解決方案。

BUK6217-55C-VB以其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適合高功率和高效率的應(yīng)用需求,確保系統(tǒng)的性能和可靠性。

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