91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BUK653R5-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BUK653R5-55C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、BUK653R5-55C-VB 產(chǎn)品簡介

BUK653R5-55C-VB 是飛利浦半導(dǎo)體(現(xiàn) NXP Semiconductors)生產(chǎn)的一款單N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝。該MOSFET利用先進的溝槽(Trench)技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和極高的電流處理能力。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別適用于電源管理和電機驅(qū)動等需要高效能和高可靠性的場景。

### 二、BUK653R5-55C-VB 詳細參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO-220
2. **配置**:單N溝道
3. **漏源極電壓 (VDS)**:60V
4. **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
5. **閾值電壓 (Vth)**:3V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
  - 3mΩ @ VGS=10V
  - 9mΩ @ VGS=4.5V
7. **漏極電流 (ID)**:210A
8. **技術(shù)類型**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**應(yīng)用領(lǐng)域**:

1. **高功率電源管理**:BUK653R5-55C-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高功率電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。其高效能能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的可靠性,適用于服務(wù)器電源、通信設(shè)備和工業(yè)電源等。

2. **電機驅(qū)動**:在電動機驅(qū)動應(yīng)用中,該MOSFET 可以用作高電流開關(guān)元件,以控制電動機的啟動、停止和速度調(diào)節(jié)。其極高的電流承載能力和低導(dǎo)通電阻能夠提高電機驅(qū)動系統(tǒng)的整體效率和可靠性,適用于電動汽車、工業(yè)機器人和大型電動工具等。

3. **高功率開關(guān)**:該MOSFET 適用于高功率開關(guān)應(yīng)用,包括功率轉(zhuǎn)換器和負載開關(guān)。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地管理大功率負載,適用于大功率工業(yè)設(shè)備、功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和能源管理系統(tǒng)中。

**模塊舉例**:

1. **高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊**:BUK653R5-55C-VB 可以集成在高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊中,用于提供高效的電壓轉(zhuǎn)換和穩(wěn)壓。適用于數(shù)據(jù)中心、通信基站和高性能計算設(shè)備中。

2. **高電流電動機驅(qū)動模塊**:在電動機驅(qū)動模塊中,BUK653R5-55C-VB 可以作為H橋電路的開關(guān)元件,控制大功率電動機的運行。適用于電動汽車、電動巴士和工業(yè)自動化系統(tǒng)中。

3. **工業(yè)功率開關(guān)模塊**:該MOSFET 還適用于工業(yè)功率開關(guān)模塊中,用于切換和控制大功率負載。適用于工廠自動化、能源管理和大型電力設(shè)備中。

總體而言,BUK653R5-55C-VB 由于其極高的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適用于高功率電源管理、電機驅(qū)動和高功率開關(guān)等應(yīng)用,為這些領(lǐng)域提供了高效、可靠的解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    525瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    443瀏覽量