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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BUK663R2-40C-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK663R2-40C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、BUK663R2-40C-VB產(chǎn)品簡介

BUK663R2-40C-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝為TO263,采用先進的Trench技術(shù)。這款MOSFET專為高電流應(yīng)用設(shè)計,具有40V的耐壓和20V的門極源極電壓最大值。其閾值電壓為3V,導(dǎo)通電阻在4.5V柵極驅(qū)動下為2.5mΩ,在10V柵極驅(qū)動下為2mΩ。BUK663R2-40C-VB能夠承受高達150A的漏極電流,具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,非常適合用于高效能開關(guān)和功率管理應(yīng)用。

### 二、BUK663R2-40C-VB詳細參數(shù)說明

- **型號**:BUK663R2-40C-VB
- **封裝**:TO263
- **配置**:單N溝道
- **耐壓VDS**:40V
- **門極源極電壓VGS**:20V(±)
- **閾值電壓Vth**:3V
- **導(dǎo)通電阻RDS(ON)**:
 - 2.5mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流ID**:150A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

BUK663R2-40C-VB在以下領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)卓越,適用于多個高電流、高效能的應(yīng)用場景:

1. **高效電源開關(guān)**:由于其超低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,BUK663R2-40C-VB非常適合用于高效能電源開關(guān),如DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源。這能夠顯著提升電源管理系統(tǒng)的整體效率,減少功率損耗。

2. **電動汽車**:在電動汽車應(yīng)用中,BUK663R2-40C-VB可以用于電機驅(qū)動系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻能夠保證電動汽車在高負載情況下的穩(wěn)定運行和高效能。

3. **工業(yè)電機控制**:在工業(yè)自動化和電機控制系統(tǒng)中,BUK663R2-40C-VB能夠穩(wěn)定地控制大功率電機的啟停和運行。這種MOSFET的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于高功率工業(yè)設(shè)備。

4. **電源管理系統(tǒng)**:在需要高電流處理的電源管理系統(tǒng)中,如高功率電源分配和電池保護系統(tǒng),BUK663R2-40C-VB能夠提供可靠的開關(guān)功能,確保系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定運行。

這些應(yīng)用實例展示了BUK663R2-40C-VB在高電流和高效能開關(guān)應(yīng)用中的廣泛適用性,使其成為各種高效能電子設(shè)備和控制系統(tǒng)中的理想選擇。

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