91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BUK7535-55A-VB一種Single-N溝道TO220封裝MOS管

型號: BUK7535-55A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 24mΩ@VGS=10V
  • ID 50A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## BUK7535-55A-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

**BUK7535-55A-VB** 是一款高性能單極 N 通道 MOSFET,采用 Trench 技術,封裝形式為 TO220。這款 MOSFET 設計用于處理中等電壓應用,提供適中的導通電阻和較高的電流承載能力,使其適用于各種中高功率電子系統(tǒng)。其設計優(yōu)化了開關速度和功耗,使其在多種應用場合下表現(xiàn)優(yōu)異。

## 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO220
- **配置**: 單極 N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
 - 28mΩ @ VGS = 4.5V
 - 24mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術**: Trench 技術

## 適用領域與模塊舉例

**BUK7535-55A-VB** 主要適用于以下領域和模塊:

1. **電源管理**:由于其適中的導通電阻(24mΩ @ VGS = 10V)和較高的電流能力(50A),BUK7535-55A-VB 適合用于電源管理系統(tǒng),如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源供應器。它能夠在各種功率范圍內(nèi)有效管理電能,提供穩(wěn)定的電源供應和優(yōu)化系統(tǒng)效率。

2. **電動汽車**:在電動汽車應用中,該 MOSFET 可用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動驅(qū)動系統(tǒng)。盡管其導通電阻相對較高,但在高電流條件下仍能提供可靠的性能,適用于需要一定電流能力的電池和驅(qū)動控制。

3. **工業(yè)電源和控制**:該 MOSFET 可用于工業(yè)電源和控制系統(tǒng)中的開關應用,如電機驅(qū)動器和高功率開關電源。其較高的電流處理能力和適中的導通電阻確保在工業(yè)環(huán)境中的穩(wěn)定運行,滿足各種工業(yè)需求。

4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,例如電機驅(qū)動和電池管理,該 MOSFET 可用于高電流開關和控制應用。其設計能夠在高負載情況下提供穩(wěn)定的性能,并提升系統(tǒng)的可靠性和效率。

總結(jié)來說,BUK7535-55A-VB MOSFET 的 TO220 封裝、適中的導通電阻和較高電流承載能力使其在電源管理、電動汽車、工業(yè)電源和控制以及汽車電子應用中表現(xiàn)出色。其 Trench 技術確保在各種中高功率和高效率應用中提供可靠的性能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    524瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    443瀏覽量