91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BUK7560-100A-VB一種Single-N溝道TO220封裝MOS管

型號(hào): BUK7560-100A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 36mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK7560-100A-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

#### 產(chǎn)品介紹
BUK7560-100A-VB 是一款高性能 N-channel MOSFET,設(shè)計(jì)用于需要高電流和高效率的應(yīng)用。該 MOSFET 封裝為 TO220,單 N-channel 配置,具有 100V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS)。該器件的門檻電壓 (Vth) 為 1.8V,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 38mΩ (VGS = 4.5V) 和 36mΩ (VGS = 10V),并且最大持續(xù)漏電流 (ID) 為 55A。采用 Trench 技術(shù),BUK7560-100A-VB 提供了卓越的開關(guān)性能和高效的電源管理能力。

#### 詳細(xì)參數(shù)
- **封裝:** TO220
- **配置:** 單 N-channel
- **漏源電壓 (VDS):** 100V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **門檻電壓 (Vth):** 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):** 38mΩ @ VGS = 4.5V;36mΩ @ VGS = 10V
- **持續(xù)漏電流 (ID):** 55A
- **技術(shù):** Trench

#### 應(yīng)用示例
1. **電源管理:**
  BUK7560-100A-VB 非常適合用于開關(guān)電源 (SMPS) 和直流-直流轉(zhuǎn)換器。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地控制電源開關(guān),提高整體電源效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車:**
  在電動(dòng)汽車應(yīng)用中,BUK7560-100A-VB 可用于電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻確保了電池和電動(dòng)機(jī)的高效運(yùn)行,提高了系統(tǒng)的能效和可靠性。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):**
  在工業(yè)和家用電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,BUK7560-100A-VB 可用于控制和驅(qū)動(dòng)各種電動(dòng)機(jī)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了電機(jī)的高效操作和能量利用。

4. **逆變器:**
  BUK7560-100A-VB 適用于逆變器電路,包括太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS)。其高電壓能力和高效開關(guān)性能確保了在高壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的可靠性和穩(wěn)定性。

總體而言,BUK7560-100A-VB MOSFET 是一個(gè)高性能的 N-channel 組件,適用于各種高電流和高電壓應(yīng)用,提供了高效的電源管理和穩(wěn)定的開關(guān)性能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    525瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    443瀏覽量