--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO263
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
- ID 150A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品概述:BUK7606-55A-VB
BUK7606-55A-VB 是一款高性能的單極N溝MOSFET,采用TO263封裝,專為高電流和低導通電阻應用設計。該MOSFET具備60V的漏源電壓(V_DS)和20V(±V)的柵源電壓(V_GS),閾值電壓(V_th)為3V,具有4mΩ的極低導通電阻(R_DS(on))@ V_GS = 10V,最大連續(xù)漏極電流(I_D)為150A。采用Trench技術,BUK7606-55A-VB 提供了優(yōu)異的開關性能和低導通損耗,適合高效能電源和電流控制應用。
### 詳細參數(shù)說明
- **漏源電壓 (V_DS):** 60V
- 漏極和源極之間可以承受的最大電壓。
- **柵源電壓 (V_GS):** 20V(±V)
- 柵極和源極之間可以施加的最大電壓。
- **閾值電壓 (V_th):** 3V
- 開啟MOSFET所需的最小柵源電壓。
- **導通電阻 (R_DS(on)):** 4mΩ @ V_GS = 10V
- 當MOSFET處于“開啟”狀態(tài)時,漏極和源極之間的電阻,測量柵源電壓為10V時的值。
- **連續(xù)漏極電流 (I_D):** 150A
- 當設備得到適當散熱時,漏極端可以流過的最大連續(xù)電流。
- **封裝類型:** TO263
- MOSFET的物理封裝,提供良好的散熱性能和機械強度。
- **配置:** 單極N溝
- 表示該MOSFET具有單個N溝道用于導電。
- **技術:** Trench
- 表示MOSFET采用Trench技術制造,提供優(yōu)異的開關性能和低導通損耗。
### 應用示例
**1. 高效電源轉換器:**
- BUK7606-55A-VB MOSFET 可用于高效DC-DC轉換器和開關模式電源(SMPS)。其低導通電阻和高電流處理能力確保了高效的電源轉換和調(diào)節(jié),適用于服務器電源和電信設備電源等應用。
**2. 電動機驅動:**
- 在電動機驅動系統(tǒng)中,BUK7606-55A-VB 能夠處理高電流,并確保低功率損耗,適用于工業(yè)電動機驅動、電動工具和電動汽車等高功率應用。
**3. 逆變器:**
- 該MOSFET 在逆變器應用中表現(xiàn)出色,特別是用于太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。其高電流和低導通電阻特性確保了高效的能量轉換和穩(wěn)定的電力輸出。
**4. 電池管理系統(tǒng):**
- 在電池管理系統(tǒng)中,BUK7606-55A-VB 可以用于高效的電池充電和放電控制。其高電流處理能力和低導通電阻特性確保了電池管理系統(tǒng)的可靠性和高效能。
**5. 汽車電子:**
- 該MOSFET 適用于汽車電子應用,如電動轉向系統(tǒng)、車身控制模塊和電源分配系統(tǒng)。其高電流處理能力和耐用性確保了汽車電子系統(tǒng)的可靠性和性能。
通過將BUK7606-55A-VB MOSFET 應用于這些領域,設計師可以實現(xiàn)高效、可靠的性能,滿足高電流和低導通電阻的要求,使其成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中的理想選擇。
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