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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BUK7606-55A-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK7606-55A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品概述:BUK7606-55A-VB

BUK7606-55A-VB 是一款高性能的單極N溝MOSFET,采用TO263封裝,專為高電流和低導通電阻應用設計。該MOSFET具備60V的漏源電壓(V_DS)和20V(±V)的柵源電壓(V_GS),閾值電壓(V_th)為3V,具有4mΩ的極低導通電阻(R_DS(on))@ V_GS = 10V,最大連續(xù)漏極電流(I_D)為150A。采用Trench技術,BUK7606-55A-VB 提供了優(yōu)異的開關性能和低導通損耗,適合高效能電源和電流控制應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **漏源電壓 (V_DS):** 60V
 - 漏極和源極之間可以承受的最大電壓。

- **柵源電壓 (V_GS):** 20V(±V)
 - 柵極和源極之間可以施加的最大電壓。

- **閾值電壓 (V_th):** 3V
 - 開啟MOSFET所需的最小柵源電壓。

- **導通電阻 (R_DS(on)):** 4mΩ @ V_GS = 10V
 - 當MOSFET處于“開啟”狀態(tài)時,漏極和源極之間的電阻,測量柵源電壓為10V時的值。

- **連續(xù)漏極電流 (I_D):** 150A
 - 當設備得到適當散熱時,漏極端可以流過的最大連續(xù)電流。

- **封裝類型:** TO263
 - MOSFET的物理封裝,提供良好的散熱性能和機械強度。

- **配置:** 單極N溝
 - 表示該MOSFET具有單個N溝道用于導電。

- **技術:** Trench
 - 表示MOSFET采用Trench技術制造,提供優(yōu)異的開關性能和低導通損耗。

### 應用示例

**1. 高效電源轉換器:**
  - BUK7606-55A-VB MOSFET 可用于高效DC-DC轉換器和開關模式電源(SMPS)。其低導通電阻和高電流處理能力確保了高效的電源轉換和調(diào)節(jié),適用于服務器電源和電信設備電源等應用。

**2. 電動機驅動:**
  - 在電動機驅動系統(tǒng)中,BUK7606-55A-VB 能夠處理高電流,并確保低功率損耗,適用于工業(yè)電動機驅動、電動工具和電動汽車等高功率應用。

**3. 逆變器:**
  - 該MOSFET 在逆變器應用中表現(xiàn)出色,特別是用于太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。其高電流和低導通電阻特性確保了高效的能量轉換和穩(wěn)定的電力輸出。

**4. 電池管理系統(tǒng):**
  - 在電池管理系統(tǒng)中,BUK7606-55A-VB 可以用于高效的電池充電和放電控制。其高電流處理能力和低導通電阻特性確保了電池管理系統(tǒng)的可靠性和高效能。

**5. 汽車電子:**
  - 該MOSFET 適用于汽車電子應用,如電動轉向系統(tǒng)、車身控制模塊和電源分配系統(tǒng)。其高電流處理能力和耐用性確保了汽車電子系統(tǒng)的可靠性和性能。

通過將BUK7606-55A-VB MOSFET 應用于這些領域,設計師可以實現(xiàn)高效、可靠的性能,滿足高電流和低導通電阻的要求,使其成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中的理想選擇。

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