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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK7606-55B-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): BUK7606-55B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK7606-55B-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BUK7606-55B-VB 是一款高性能單 N 通道功率 MOSFET,封裝在 TO263 封裝中,設(shè)計(jì)用于高電流和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。該 MOSFET 的 VDS(漏源電壓)為 60V,VGS(柵源電壓)范圍為 ±20V,能夠在較高電壓條件下穩(wěn)定工作。其閾值電壓(Vth)為 3V,確保在柵電壓達(dá)到一定值時(shí)能夠可靠地導(dǎo)通。BUK7606-55B-VB 的 RDS(ON) 為 4mΩ @ VGS=10V,支持最大連續(xù)漏電流(ID)為 150A。該器件采用了 Trench 技術(shù),提供優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和極低的導(dǎo)通電阻。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **封裝:** TO263
2. **配置:** 單N通道
3. **VDS(漏源電壓):** 60V
4. **VGS(柵源電壓):** ±20V
5. **Vth(閾值電壓):** 3V
6. **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):** 4mΩ @ VGS=10V
7. **ID(連續(xù)漏電流):** 150A
8. **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景

BUK7606-55B-VB MOSFET 由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊:

1. **電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng):** 適用于電動(dòng)汽車(chē)(EV)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),在高電流條件下提供高效和可靠的電力傳輸,提升電動(dòng)汽車(chē)的性能和續(xù)航能力。
2. **電源管理:** 適用于大功率開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和服務(wù)器電源,提供高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理。
3. **電機(jī)控制:** 在工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電機(jī)控制系統(tǒng)中,BUK7606-55B-VB 可用于驅(qū)動(dòng)和控制大功率電機(jī),支持精確的速度和扭矩控制。
4. **電池管理系統(tǒng):** 在電池管理系統(tǒng)中,BUK7606-55B-VB 可用于高電流電池的充放電控制,確保電池的安全性和壽命。
5. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器:** 適用于高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換和高效的能量利用。
6. **負(fù)載開(kāi)關(guān):** 用于高電流負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,提供可靠的開(kāi)關(guān)性能,適合工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和智能家居設(shè)備。

這些示例展示了 BUK7606-55B-VB MOSFET 的多功能性和在高電流、高效能應(yīng)用中的可靠性。

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