91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

BUK7610-55AL-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK7610-55AL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK7610-55AL-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

BUK7610-55AL-VB 是一款高性能單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO263 封裝,設(shè)計用于高電流和高效率的應(yīng)用。該 MOSFET 具有 60V 的 VDS(漏源電壓)和 ±20V 的 VGS(柵源電壓)范圍,能夠在高電壓條件下穩(wěn)定運行。其閾值電壓(Vth)為 3V,確保在柵電壓達到一定水平時能夠可靠地導(dǎo)通。BUK7610-55AL-VB 的 RDS(ON) 為 4mΩ @ VGS=10V,支持最大連續(xù)漏電流(ID)為 150A。該器件采用 Trench 技術(shù),提供極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)性能。

### 詳細參數(shù)說明

1. **封裝:** TO263
2. **配置:** 單N通道
3. **VDS(漏源電壓):** 60V
4. **VGS(柵源電壓):** ±20V
5. **Vth(閾值電壓):** 3V
6. **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):** 4mΩ @ VGS=10V
7. **ID(連續(xù)漏電流):** 150A
8. **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景

BUK7610-55AL-VB MOSFET 由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于多個領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理:** 適用于高功率開關(guān)模式電源(SMPS)和數(shù)據(jù)中心電源,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理,滿足大功率需求。
2. **電動汽車驅(qū)動:** 在電動汽車(EV)中用于驅(qū)動系統(tǒng),能夠處理高電流并確保高效的電力傳輸,提高電動汽車的性能和續(xù)航能力。
3. **電機控制:** 適用于工業(yè)自動化和消費電子中的電機控制應(yīng)用,支持大功率電機的精確控制和調(diào)節(jié),提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
4. **電池管理系統(tǒng):** 在高電流電池管理系統(tǒng)中,BUK7610-55AL-VB 可用于控制電池的充放電過程,確保電池的安全和長壽命。
5. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器:** 用于高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換和高效的電源轉(zhuǎn)換,適合用于高功率電子設(shè)備。
6. **負載開關(guān):** 在高電流負載開關(guān)應(yīng)用中提供可靠的開關(guān)性能,適合用于工業(yè)設(shè)備、計算機硬件以及其他高功率應(yīng)用。

這些示例展示了 BUK7610-55AL-VB MOSFET 的多用途和在高電流、高效率應(yīng)用中的可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    523瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    443瀏覽量