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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BUK761R3-30E-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK761R3-30E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 1.4mΩ@VGS=10V
  • ID 260A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK761R3-30E-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

BUK761R3-30E-VB 是一款高性能單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO263 封裝,設(shè)計用于處理高電流和高效率的應(yīng)用。該 MOSFET 的 VDS(漏源電壓)為 30V,VGS(柵源電壓)范圍為 ±20V,適合在中等電壓條件下穩(wěn)定工作。其閾值電壓(Vth)為 1.7V,確保在較低的柵電壓下也能可靠導(dǎo)通。BUK761R3-30E-VB 的 RDS(ON) 為 1.6mΩ @ VGS=4.5V 和 1.4mΩ @ VGS=10V,支持最大連續(xù)漏電流(ID)為 260A。該器件采用 Trench 技術(shù),提供極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)性能,適合用于高功率和高效能要求的應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

1. **封裝:** TO263
2. **配置:** 單N通道
3. **VDS(漏源電壓):** 30V
4. **VGS(柵源電壓):** ±20V
5. **Vth(閾值電壓):** 1.7V
6. **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):**
  - 1.6mΩ @ VGS=4.5V
  - 1.4mΩ @ VGS=10V
7. **ID(連續(xù)漏電流):** 260A
8. **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景

BUK761R3-30E-VB MOSFET 由于其超低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合用于多個領(lǐng)域和模塊:

1. **高功率開關(guān)電源:** 適用于開關(guān)模式電源(SMPS)和電源適配器中,提供高效的電源轉(zhuǎn)換和低功率損耗,適合用于計算機電源和工業(yè)電源系統(tǒng)。
2. **電動汽車:** 在電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中,BUK761R3-30E-VB 可用于電動機控制和電池管理,處理高電流并提高電動汽車的整體性能。
3. **電機驅(qū)動:** 適用于工業(yè)自動化和家電中的電機控制,支持高電流電機的精確控制和調(diào)節(jié),確保電機高效運行。
4. **電池保護:** 在電池管理系統(tǒng)中,用于保護電池組,管理高電流充放電,提升電池使用壽命和安全性。
5. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器:** 在各種高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,提供穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換,適合于高效能電源解決方案。
6. **負載開關(guān):** 在高電流負載開關(guān)應(yīng)用中,提供可靠的開關(guān)性能,適用于工業(yè)設(shè)備和高功率電子設(shè)備。

這些示例展示了 BUK761R3-30E-VB MOSFET 的廣泛應(yīng)用和高效性能,使其在各種高電流、高效率應(yīng)用中成為理想選擇。

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