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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPD50R280CE-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD50R280CE-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 500V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 290mΩ@VGS=10V
  • ID 14A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD50R280CE-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPD50R280CE-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于高電壓和高功率應(yīng)用。其 500V 的漏源擊穿電壓和 14A 的漏極電流能力,使其能夠在要求高耐壓和高功率的電路中穩(wěn)定工作。采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),這款 MOSFET 提供了優(yōu)良的耐壓性能和可靠性,適合用于高電壓的開(kāi)關(guān)和控制應(yīng)用中,具有較高的耐久性和穩(wěn)定性。

### 二、IPD50R280CE-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO252  
- **溝道配置**:?jiǎn)螛O N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:500V  
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:290mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:14A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI(多層 EPI 技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用**:
  IPD50R280CE-VB 的高漏源擊穿電壓使其非常適合用于高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用,例如電源開(kāi)關(guān)和高壓負(fù)載控制。其高耐壓性能能夠在高電壓環(huán)境中穩(wěn)定工作,確保開(kāi)關(guān)電路的可靠性和安全性。

2. **電源轉(zhuǎn)換器和逆變器**:
  在電源轉(zhuǎn)換器和逆變器中,IPD50R280CE-VB 可以用于高電壓直流到交流或交流到直流的轉(zhuǎn)換。其優(yōu)良的耐壓性能和穩(wěn)定的工作特性使其能夠在高功率和高電壓條件下高效地完成電能轉(zhuǎn)換任務(wù)。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:
  對(duì)于需要高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用,IPD50R280CE-VB 提供了穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)能力和較高的耐壓性能,適合在高電壓電機(jī)控制系統(tǒng)中使用??梢栽诟吖β孰姍C(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行中提供可靠的開(kāi)關(guān)和控制。

4. **電力電子設(shè)備**:
  IPD50R280CE-VB 也適用于各種電力電子設(shè)備,如電力調(diào)節(jié)器和電源管理系統(tǒng)。其高耐壓和穩(wěn)定的電流處理能力能夠在這些設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效的電力控制和轉(zhuǎn)換,提高系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性。

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