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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPD50R380CE-VB一款TO252封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPD50R380CE-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 370mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IPD50R380CE-VB 產品簡介  
IPD50R380CE-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。該MOSFET專為高電壓應用設計,具有650V的最大漏源電壓和高達11A的漏極電流承載能力。其柵源電壓范圍為±30V,柵極閾值電壓為3.5V,導通電阻為370mΩ(在VGS=10V時)。采用SJ_Multi-EPI技術,這款MOSFET提供了優(yōu)異的耐壓性能和穩(wěn)定性,非常適合用于需要高耐壓和高可靠性的應用場合。

### 二、IPD50R380CE-VB 詳細參數(shù)說明  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:370mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:11A  
- **技術**:SJ_Multi-EPI(多晶硅技術)  
- **其他特性**:高耐壓、良好的熱穩(wěn)定性,適合高壓應用。

### 三、IPD50R380CE-VB 的應用領域和模塊舉例  
1. **電源開關**:由于其高達650V的耐壓能力,IPD50R380CE-VB 非常適合用于高壓電源開關,如AC-DC轉換器和高壓DC-DC轉換器。它可以有效地管理高電壓電源,同時保持穩(wěn)定的性能和低功耗。

2. **逆變器**:在太陽能逆變器和其他高功率逆變器應用中,該MOSFET的高耐壓和較高電流承載能力使其成為理想的選擇。它能夠承受高壓工作環(huán)境中的應力,確保逆變器的高效運行。

3. **電動工具**:在需要高電壓控制的電動工具中,例如電動鉆或電鋸,IPD50R380CE-VB 可以用作開關控制器。其高耐壓性能和穩(wěn)定性確保了工具的安全和可靠性。

4. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于高壓電源的開關和保護功能。它的高耐壓特性能夠應對工業(yè)應用中的高電壓環(huán)境,提供穩(wěn)定的電源管理。

這些領域中的應用充分利用了IPD50R380CE-VB 的高耐壓和穩(wěn)定性,使其在需要處理高電壓和高功率的場合中表現(xiàn)出色。

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