### 產(chǎn)品簡介

IPD50R950CE-VB 是一款高電壓單N溝道 MOSFET，封裝為 TO252。其具備650V的漏源電壓（VDS），±30V的柵源電壓（VGS），以及3.5V的閾值電壓（Vth）。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為1000mΩ @ VGS=10V，最大漏極電流（ID）為5A。它采用了 SJ_Multi-EPI 技術(shù)，專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計，適合在苛刻的環(huán)境中提供可靠的性能。IPD50R950CE-VB 主要用于高電壓開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，具備較高的電壓耐受能力和穩(wěn)定性。

### 參數(shù)說明

1. **封裝類型**：TO252  
2. **配置**：單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**：650V  
4. **柵源電壓 (VGS)**：±30V  
5. **閾值電壓 (Vth)**：3.5V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：  
  - 1000mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**：5A  
8. **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI  
9. **柵極電荷 (Qg)**：適中，適合高電壓開關(guān)  
10. **工作溫度范圍**：-55°C 至 175°C  
11. **功耗 (Ptot)**：適合高功率應(yīng)用，具有良好的散熱性能

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理系統(tǒng)**：IPD50R950CE-VB 在高電壓開關(guān)電源和逆變器中表現(xiàn)優(yōu)異。例如，在高壓直流到交流（DC-AC）逆變器中，MOSFET 的高耐壓和穩(wěn)定性保證了系統(tǒng)在高電壓環(huán)境下的安全和可靠運行，有助于提高電源效率和降低功率損耗。

2. **工業(yè)電源**：在工業(yè)電源供應(yīng)和功率轉(zhuǎn)換模塊中，如變頻器和電源適配器，該MOSFET 可以處理高電壓和中等電流負載，確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，特別是在需要高電壓保護的應(yīng)用場合。

3. **家電產(chǎn)品**：在高電壓家電產(chǎn)品中，如高壓電熱器和電動工具，IPD50R950CE-VB 可以作為功率開關(guān)使用。其高漏源電壓能力和良好的導(dǎo)通特性使其適合在這些高電壓負載中運行，提高設(shè)備的整體性能和壽命。

4. **汽車電子**：在汽車電子系統(tǒng)中，如電動汽車充電器和高壓電源管理系統(tǒng)，該MOSFET 能夠提供可靠的開關(guān)能力和高電壓耐受性，有助于提升電動汽車系統(tǒng)的效率和安全性。