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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD65R380C6-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD65R380C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 700V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 390mΩ@VGS=10V
  • ID 11A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPD65R380C6-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

IPD65R380C6-VB 是一款高電壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。它能夠承受高達 700V 的漏源電壓(VDS),并支持 ±30V 的柵源電壓(VGS),使其適用于高電壓環(huán)境下的應(yīng)用。該 MOSFET 具有 3.5V 的柵極閾值電壓,并采用先進的 SJ_Multi-EPI 技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)秀的高電壓特性。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS = 10V 時為 390mΩ,漏極電流(ID)可達到 11A。這些特性使得 IPD65R380C6-VB 在需要高電壓、高功率和高可靠性的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色。

### IPD65R380C6-VB 詳細參數(shù)說明

1. **封裝類型**: TO252  
2. **極性**: N 溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**: 700V  
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 390mΩ @ VGS = 10V  
7. **漏極電流 (ID)**: 11A  
8. **技術(shù)類型**: SJ_Multi-EPI  
9. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C  
10. **功率耗散 (Ptot)**: 通常為 70W  
11. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達 40A  
12. **輸入電容 (Ciss)**: 約 3500pF  
13. **反向恢復(fù)時間 (Trr)**: 典型值約 80ns  
14. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 150nC

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源 (SMPS)**:  
  IPD65R380C6-VB 適用于高壓開關(guān)電源(SMPS),如高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器和交流-直流轉(zhuǎn)換器。其高達 700V 的電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻使其能夠在高功率環(huán)境中提供高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的性能。

2. **工業(yè)電源管理**:  
  在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于高壓電源控制模塊,例如電源分配和保護系統(tǒng)。其高電壓和高電流處理能力可以滿足工業(yè)設(shè)備中嚴苛的電力需求,確保系統(tǒng)的可靠性和耐用性。

3. **電動汽車 (EV)**:  
  在電動汽車系統(tǒng)中,IPD65R380C6-VB 可用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動機控制模塊。其高電壓承受能力和穩(wěn)定性能對于電動汽車的高壓電池和驅(qū)動系統(tǒng)至關(guān)重要,有助于確保車輛的安全和高效運行。

4. **高壓照明系統(tǒng)**:  
  該 MOSFET 也適用于高壓照明系統(tǒng)的開關(guān)和調(diào)光控制,如用于高壓燈具和熒光燈的控制。其高電壓能力和低導(dǎo)通電阻確保了照明系統(tǒng)的可靠性和高效性,適用于各種高功率照明應(yīng)用。

IPD65R380C6-VB 是一款在高電壓和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異的 MOSFET,提供了穩(wěn)定和高效的解決方案,適用于多種需要高電壓和高功率處理的應(yīng)用領(lǐng)域。

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