--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 700V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 390mΩ@VGS=10V
- ID 11A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
IPD65R380E6-VB 是一種單N溝道MOSFET,封裝形式為TO252,設(shè)計用于高電壓和高功率應(yīng)用。該MOSFET采用先進的SJ_Multi-EPI技術(shù),能夠承受高達700V的漏源電壓(VDS)和11A的連續(xù)漏極電流(ID)。其柵極閾值電壓(Vth)為3.5V,使其能夠在適中的柵極電壓下正常工作。盡管其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為390mΩ @ VGS=10V,提供了較高的電流承載能力和可靠性,使其在高電壓環(huán)境下表現(xiàn)穩(wěn)定。
### 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO252
- **溝道配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:700V
- **柵極電壓 (VGS)**:±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:390mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:11A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:IPD65R380E6-VB適用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,如AC-DC轉(zhuǎn)換器和高電壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。它的700V漏源電壓能力使其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,確保電源系統(tǒng)的高效和可靠性。
2. **工業(yè)電力系統(tǒng)**:在工業(yè)電力管理系統(tǒng)中,該MOSFET能夠處理高電壓和高電流負載,例如在電力分配裝置、電機驅(qū)動系統(tǒng)和工業(yè)電源模塊中使用,有效管理和轉(zhuǎn)換電力,提高系統(tǒng)的整體性能和安全性。
3. **逆變器**:在光伏和風(fēng)能等可再生能源系統(tǒng)中的逆變器應(yīng)用中,IPD65R380E6-VB能夠穩(wěn)定開關(guān)高電壓負載,提高逆變器的效率和可靠性,支持高效的能量轉(zhuǎn)換和管理。
4. **高壓照明設(shè)備**:該MOSFET適用于高壓照明設(shè)備,例如高壓燈具和電熱器,通過穩(wěn)定的開關(guān)性能控制高電壓電流,確保設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性,提供可靠的照明解決方案。
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