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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPD80N06S3-09-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPD80N06S3-09-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD80N06S3-09-VB 產(chǎn)品簡介

IPD80N06S3-09-VB 是一款 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝,具備 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 58A 的漏極電流 (ID) 處理能力。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),適合在高效能應(yīng)用中使用。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 2.5V,能夠在相對較低的柵極驅(qū)動電壓下實現(xiàn)可靠的導(dǎo)通和關(guān)斷操作。其導(dǎo)通電阻在 VGS=4.5V 時為 13mΩ,在 VGS=10V 時則為 10mΩ。

### 二、IPD80N06S3-09-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單通道 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 13mΩ @ VGS=4.5V  
 - 10mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:58A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  
- **最大功耗**:依據(jù)具體散熱條件而定,通常用于高電流應(yīng)用中有效散熱設(shè)計

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **汽車電子控制單元 (ECU)**  
  IPD80N06S3-09-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于汽車電子系統(tǒng)中的電源開關(guān)、繼電器驅(qū)動器和其他 ECU 組件中,能夠有效提高系統(tǒng)效率并降低功耗。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  在中等電壓范圍內(nèi)的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 可用作功率開關(guān),確保轉(zhuǎn)換器具有較低的損耗并提高效率。其 60V 的漏源電壓非常適合這些中等電壓應(yīng)用。

3. **電機控制**  
  在需要控制中低電壓電機的應(yīng)用中,IPD80N06S3-09-VB 能夠作為電機驅(qū)動器中的功率開關(guān),提供高效的電流控制和快速的開關(guān)性能,適用于電動車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域。

4. **負載開關(guān)與電源管理**  
  這款 MOSFET 還可以用于負載開關(guān)和電源管理模塊中,尤其是在對低導(dǎo)通損耗和高電流需求的系統(tǒng)中,如消費電子和通信設(shè)備的電源模塊。### 一、IPD80N06S3-09-VB 產(chǎn)品簡介

IPD80N06S3-09-VB 是一款 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO252 封裝,具備 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 58A 的漏極電流 (ID) 處理能力。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),適合在高效能應(yīng)用中使用。其柵極閾值電壓 (Vth) 為 2.5V,能夠在相對較低的柵極驅(qū)動電壓下實現(xiàn)可靠的導(dǎo)通和關(guān)斷操作。其導(dǎo)通電阻在 VGS=4.5V 時為 13mΩ,在 VGS=10V 時則為 10mΩ。

### 二、IPD80N06S3-09-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單通道 N 溝道  
- **漏源電壓 (VDS)**:60V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 13mΩ @ VGS=4.5V  
 - 10mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:58A  
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)  
- **最大功耗**:依據(jù)具體散熱條件而定,通常用于高電流應(yīng)用中有效散熱設(shè)計

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **汽車電子控制單元 (ECU)**  
  IPD80N06S3-09-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于汽車電子系統(tǒng)中的電源開關(guān)、繼電器驅(qū)動器和其他 ECU 組件中,能夠有效提高系統(tǒng)效率并降低功耗。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  在中等電壓范圍內(nèi)的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,該 MOSFET 可用作功率開關(guān),確保轉(zhuǎn)換器具有較低的損耗并提高效率。其 60V 的漏源電壓非常適合這些中等電壓應(yīng)用。

3. **電機控制**  
  在需要控制中低電壓電機的應(yīng)用中,IPD80N06S3-09-VB 能夠作為電機驅(qū)動器中的功率開關(guān),提供高效的電流控制和快速的開關(guān)性能,適用于電動車、工業(yè)自動化等領(lǐng)域。

4. **負載開關(guān)與電源管理**  
  這款 MOSFET 還可以用于負載開關(guān)和電源管理模塊中,尤其是在對低導(dǎo)通損耗和高電流需求的系統(tǒng)中,如消費電子和通信設(shè)備的電源模塊。

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