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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPD85P04P4-07-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD85P04P4-07-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 6.8mΩ@VGS=10V
  • ID -90A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPD85P04P4-07-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPD85P04P4-07-VB 是一款高性能的 P 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于中低壓電路中的開關(guān)和控制應(yīng)用。其最大漏源電壓為 -40V,最大漏極電流為 -90A,導(dǎo)通電阻低至 6.8mΩ(@VGS=-10V),使其在高電流負(fù)載中能夠提供優(yōu)異的開關(guān)性能。IPD85P04P4-07-VB 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),提升了導(dǎo)電效率和開關(guān)速度,適用于各種高效電源管理和負(fù)載控制的應(yīng)用中。

### 二、IPD85P04P4-07-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252  
- **溝道配置**:?jiǎn)螛O P 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:-40V  
- **柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:-2V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 13mΩ @ VGS=-4.5V  
 - 6.8mΩ @ VGS=-10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:-90A  
- **技術(shù)**:Trench (溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **電池管理系統(tǒng)**:
  IPD85P04P4-07-VB 的 P 溝道特性使其非常適合在電池管理系統(tǒng)中使用,特別是在鋰電池保護(hù)電路中。由于其低導(dǎo)通電阻,它能夠在高電流情況下有效地控制電流流動(dòng),保護(hù)電池免受過度放電或短路的損害。

2. **電源反向保護(hù)電路**:
  由于 P 溝道 MOSFET 能夠在負(fù)電壓下工作,IPD85P04P4-07-VB 可用于電源反向保護(hù)電路中。當(dāng)電源極性錯(cuò)誤時(shí),它可以有效阻斷反向電流流動(dòng),保護(hù)電源設(shè)備免受損壞。

3. **負(fù)載開關(guān)應(yīng)用**:
  在需要低損耗和高效能的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IPD85P04P4-07-VB 是一個(gè)理想的選擇。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻適合用在大功率開關(guān)電路中,如電動(dòng)工具或電動(dòng)汽車中的負(fù)載開關(guān)控制。

4. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
  在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,IPD85P04P4-07-VB 能夠高效控制電壓和電流的轉(zhuǎn)換,確保電能的高效利用。它可以在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中用作主開關(guān)或同步整流器,提高系統(tǒng)效率。

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