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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPD90N06S4L-05-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPD90N06S4L-05-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IPD90N06S4L-05-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝類型為TO252,專為要求高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為60V,適用于中等電壓環(huán)境,柵源電壓(VGS)范圍為±20V,確保器件的穩(wěn)定性。其開啟閾值電壓(Vth)為3V,能夠在較低柵電壓下導(dǎo)通。IPD90N06S4L-05-VB采用Trench技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻,分別為12mΩ(@VGS=4.5V)和4.5mΩ(@VGS=10V),并能承受高達(dá)97A的漏極電流。這使得它非常適合高電流應(yīng)用,并且在高功率應(yīng)用中提供出色的性能。

### 參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO252
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS=4.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:97A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:
1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:IPD90N06S4L-05-VB由于其極低的導(dǎo)通電阻,非常適用于高效電源轉(zhuǎn)換器,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,它能夠提供高效率的電源轉(zhuǎn)換,降低功耗,并提高系統(tǒng)的整體性能。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在需要高電流的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,如工業(yè)電機(jī)和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,該MOSFET可以有效地處理高電流,確保電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行,提供平穩(wěn)的功率傳輸。

3. **開關(guān)電源**:適用于開關(guān)電源模塊中,包括計(jì)算機(jī)電源和電池充電器。其低導(dǎo)通電阻確保了開關(guān)過程中的低功耗和高效率,提升了電源的整體性能和可靠性。

4. **功率管理**:在功率管理系統(tǒng)中,如負(fù)載開關(guān)和電源管理電路,IPD90N06S4L-05-VB能夠有效管理大電流的開關(guān)操作,確保系統(tǒng)在高功率環(huán)境下的穩(wěn)定性和高效能。

5. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和電池管理系統(tǒng),該MOSFET能夠處理高電流需求,并提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)控制,確保汽車電子系統(tǒng)的高效運(yùn)作。

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