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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPI057N08N3 G-VB一款TO262封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPI057N08N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 80V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 6mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IPI057N08N3 G-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝類(lèi)型為T(mén)O262,專(zhuān)為要求高電流和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有80V的漏源電壓(VDS),適用于中等電壓環(huán)境。該MOSFET支持±20V的柵源電壓(VGS),其開(kāi)啟閾值電壓(Vth)為3V,可在較低的柵電壓下導(dǎo)通。IPI057N08N3 G-VB采用Trench技術(shù),提供極低的導(dǎo)通電阻,分別為10mΩ(@VGS=4.5V)和6mΩ(@VGS=10V),能夠承受高達(dá)85A的漏極電流。這使得它在高電流應(yīng)用中具有優(yōu)越的性能,能夠有效降低功耗和提升系統(tǒng)效率。

### 參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類(lèi)型**:TO262
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:80V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:85A
- **技術(shù)類(lèi)型**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:
1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:IPI057N08N3 G-VB因其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適用于高效電源轉(zhuǎn)換器,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些應(yīng)用中,它能夠提供高效的電源轉(zhuǎn)換,減少功耗并提高系統(tǒng)的整體性能。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在需要高電流的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,如工業(yè)電機(jī)和電動(dòng)汽車(chē)電機(jī),該MOSFET能夠有效處理大電流,確保電機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效驅(qū)動(dòng)。

3. **開(kāi)關(guān)電源模塊**:該MOSFET適用于開(kāi)關(guān)電源模塊,包括計(jì)算機(jī)電源和電池充電器。其低導(dǎo)通電阻降低了開(kāi)關(guān)損耗,提升了電源的整體效率和可靠性。

4. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:在高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,如電源管理系統(tǒng)和負(fù)載控制系統(tǒng),IPI057N08N3 G-VB能夠提供高電流和低功耗的開(kāi)關(guān)控制,確保負(fù)載的穩(wěn)定開(kāi)關(guān)和有效的功率分配。

5. **汽車(chē)電子**:在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和高功率電池管理系統(tǒng),IPI057N08N3 G-VB能夠處理大電流需求,提供可靠的開(kāi)關(guān)控制和高效的電源管理,支持汽車(chē)電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

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