--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO262
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 2V
- RDS(ON) 20mΩ@VGS=10V
- ID 50A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IPI47N10SL-26-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPI47N10SL-26-VB 是一款高性能 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO262 封裝。其設(shè)計(jì)專注于高效電源管理,能夠處理高達(dá) 100V 的漏源電壓(VDS),并提供 50A 的大電流負(fù)載能力。該器件的柵源電壓(VGS)范圍為 ±20V,柵極閾值電壓為 2V,確保了在各種開(kāi)關(guān)條件下的穩(wěn)定操作。憑借 20mΩ 的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) @ VGS = 10V),該 MOSFET 采用了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),適合各種高效能的電源轉(zhuǎn)換和電動(dòng)系統(tǒng)應(yīng)用。
### IPI47N10SL-26-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
1. **封裝類型**: TO262
2. **配置**: 單 N 溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**: 100V
4. **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**: 2V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 10V
7. **漏極電流 (ID)**: 50A
8. **最大脈沖電流 (ID, pulse)**: 高達(dá) 200A
9. **功率耗散 (Ptot)**: 典型值為 300W
10. **技術(shù)類型**: Trench
11. **輸入電容 (Ciss)**: 約 2400pF
12. **柵極電荷 (Qg)**: 典型值為 85nC
13. **反向恢復(fù)時(shí)間 (Trr)**: 典型值為 40ns
14. **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
15. **最大結(jié)溫 (Tj)**: 175°C
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電動(dòng)汽車 (EV) 電源管理系統(tǒng)**:
IPI47N10SL-26-VB 在電動(dòng)汽車系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源分配和能量管理模塊中。其 100V 的高漏源電壓和 50A 的大電流處理能力使其能夠在高性能電動(dòng)汽車電源管理系統(tǒng)中提供高效、穩(wěn)定的運(yùn)行,降低電能損耗,延長(zhǎng)電池壽命。
2. **太陽(yáng)能逆變器**:
在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于逆變器模塊,以實(shí)現(xiàn)高效的 DC 到 AC 電能轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻和快速切換能力保證了高效的能量傳輸,從而提高了太陽(yáng)能系統(tǒng)的整體效率。
3. **高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:
IPI47N10SL-26-VB 適用于各種 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器,其在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的出色表現(xiàn)使其在需要高能效轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合得到廣泛應(yīng)用,特別是在通訊設(shè)備、服務(wù)器電源模塊和工業(yè)電源系統(tǒng)中。
4. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:
在工業(yè)控制和自動(dòng)化中,該 MOSFET 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,確保了高功率和高效的電流傳輸,適用于要求嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境,保證設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。
IPI47N10SL-26-VB 憑借其強(qiáng)大的電流處理能力、低導(dǎo)通電阻和高電壓耐受能力,廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)控制和電動(dòng)汽車等需要高效能的領(lǐng)域。
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