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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPI50CN10N G-VB一款TO262封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPI50CN10N G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 9mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IPI50CN10N G-VB 是一款高效能單N溝道MOSFET,采用TO262封裝,基于先進(jìn)的Trench技術(shù)。該器件的漏源電壓(VDS)高達(dá)100V,最大漏極電流(ID)為100A,具備卓越的電流處理能力。其柵極電壓(VGS)范圍為±20V,柵極閾值電壓(Vth)為2.5V,保證了在較低柵極電壓下能夠快速開(kāi)啟。該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為10mΩ@VGS=4.5V 和 9mΩ@VGS=10V,極大地降低了開(kāi)關(guān)損耗,非常適用于要求低功耗、高效開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類(lèi)型**:TO262
- **溝道配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 9mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:

1. **電動(dòng)工具與工業(yè)自動(dòng)化**:IPI50CN10N G-VB 在電動(dòng)工具和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中扮演關(guān)鍵角色。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻能夠提升電動(dòng)工具的工作效率,減少能量消耗。在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,該MOSFET能夠作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵元件,為機(jī)械設(shè)備提供高效穩(wěn)定的電源控制。

2. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,這款MOSFET因其高電流處理能力和低功耗設(shè)計(jì)被廣泛應(yīng)用于電池保護(hù)和充放電控制。其穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻保證了電池系統(tǒng)的高效運(yùn)行,延長(zhǎng)了電池的使用壽命,適用于電動(dòng)車(chē)和可再生能源系統(tǒng)。

3. **不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)**:在UPS系統(tǒng)中,該MOSFET可以承擔(dān)高功率開(kāi)關(guān)的職責(zé),確保在電網(wǎng)故障時(shí)提供快速反應(yīng)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻能夠提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率,保證設(shè)備在斷電時(shí)的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **光伏逆變器**:IPI50CN10N G-VB 適合用于光伏逆變器中的電力轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)。其出色的高壓和高電流處理能力能夠提高光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率,減少功率損耗,確保在各種條件下穩(wěn)定輸出。

IPI50CN10N G-VB 具有卓越的性能和多樣的應(yīng)用場(chǎng)景,是高效開(kāi)關(guān)電源、高功率逆變器和工業(yè)控制系統(tǒng)中不可或缺的元件,能夠?yàn)楦黝?lèi)電力轉(zhuǎn)換和控制設(shè)備提供可靠的技術(shù)支持。

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