--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO262
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2V
- RDS(ON) 5.7mΩ@VGS=10V
- ID 75A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IPI70N04S3-07-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
IPI70N04S3-07-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO262,專為高電流開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,開(kāi)啟閾值電壓(Vth)為2V。這款MOSFET采用Trench技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS=10V時(shí)為5.7mΩ,支持高達(dá)75A的漏極電流(ID)。憑借其高效的開(kāi)關(guān)特性和出色的電流處理能力,IPI70N04S3-07-VB 適用于各種電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)和直流電機(jī)控制領(lǐng)域。
### 二、IPI70N04S3-07-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類型**:TO262
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓(Vth)**:2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:5.7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:75A
- **技術(shù)類型**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **功耗**:依賴于散熱條件
- **封裝外形尺寸**:標(biāo)準(zhǔn)TO262封裝
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源管理**:
在電源管理系統(tǒng)中,IPI70N04S3-07-VB 因其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,特別適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC電源和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用。其Trench技術(shù)保證了低功耗、高效能的開(kāi)關(guān)性能,能夠優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率,減少能量損失,尤其適合工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)的電源模塊。
2. **直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
由于其75A的高電流能力和低RDS(ON),IPI70N04S3-07-VB 在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中具有優(yōu)異的表現(xiàn)。該器件能夠處理電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行期間的大電流負(fù)載,適用于電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車和工業(yè)機(jī)械中的直流電機(jī)控制,提供更高的效率和性能。
3. **負(fù)載開(kāi)關(guān)**:
該MOSFET的高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其非常適用于大功率負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,例如在高電流供電線路中用于負(fù)載保護(hù)和切換。IPI70N04S3-07-VB 能夠在開(kāi)關(guān)電源和電流控制系統(tǒng)中有效地處理各種負(fù)載需求,保證系統(tǒng)的可靠性和安全性。
4. **電池管理**:
在電池管理系統(tǒng)中,特別是電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng),IPI70N04S3-07-VB 由于其高效能和大電流處理能力,非常適合用于電池充放電管理、電壓調(diào)節(jié)和電流控制等場(chǎng)合。該器件的低功耗特性能夠延長(zhǎng)電池使用壽命,優(yōu)化電池管理系統(tǒng)的性能。
IPI70N04S3-07-VB 的高性能特點(diǎn)和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景,使其成為各種功率轉(zhuǎn)換和電流控制場(chǎng)合的理想選擇,尤其在高效能和高電流負(fù)載需求的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
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