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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPI80N03S4L-03-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPI80N03S4L-03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2V
  • RDS(ON) 2.4mΩ@VGS=10V
  • ID 98A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 - IPI80N03S4L-03-VB

IPI80N03S4L-03-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO262封裝,專為要求高電流和高效能的應(yīng)用設(shè)計。其主要特性包括30V的漏極-源極耐壓能力和高達98A的漏極電流承載能力。MOSFET 采用Trench技術(shù),具有極低的導通電阻(RDS(ON) 為2.4mΩ @ VGS=10V),確保在高負載條件下仍能保持高效的功率轉(zhuǎn)換和低功耗。該MOSFET 適用于各種需要高開關(guān)性能和高電流處理的應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO262  
- **溝道類型**:單N溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:30V  
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:2V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.4mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**:98A  
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)  
- **熱性能**:優(yōu)良的散熱性能,適合高功率密度應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高效電源管理系統(tǒng)**  
  IPI80N03S4L-03-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊中。其低導通電阻和高電流承載能力能夠顯著降低能量損耗,提高整體系統(tǒng)的效率,廣泛應(yīng)用于計算機電源、通信設(shè)備電源和工業(yè)電源系統(tǒng)。

2. **電動汽車和電池管理**  
  在電動汽車和電池管理系統(tǒng)中,IPI80N03S4L-03-VB 能夠處理高電流的充電和放電任務(wù)。其低導通電阻有助于減少能量損耗,提升電池管理系統(tǒng)的整體效率,從而提高電動汽車的續(xù)航能力和性能。

3. **電動工具和電機控制**  
  該MOSFET 在電動工具和電機控制應(yīng)用中也非常合適。其高電流處理能力使其能夠驅(qū)動電動工具中的高功率電機,提供穩(wěn)定的電流輸出,并提升系統(tǒng)的效率和可靠性。

4. **LED驅(qū)動器**  
  在LED驅(qū)動應(yīng)用中,IPI80N03S4L-03-VB 的低導通電阻能夠提供穩(wěn)定的電流,確保高功率LED的亮度和性能。適用于高亮度LED照明系統(tǒng),幫助減少功耗和熱量產(chǎn)生。

5. **工業(yè)自動化設(shè)備**  
  該MOSFET 適用于各種工業(yè)自動化設(shè)備,如PLC控制器和機器人系統(tǒng)。其高電流能力和低功耗特性有助于提高設(shè)備的可靠性和效率,適應(yīng)快速響應(yīng)和高負荷的工作環(huán)境。

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