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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPI80N03S4L-04-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPI80N03S4L-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2V
  • RDS(ON) 2.4mΩ@VGS=10V
  • ID 98A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPI80N03S4L-04-VB 產(chǎn)品簡介
IPI80N03S4L-04-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO262 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源擊穿電壓為 30V,最大漏極電流為 98A。這款 MOSFET 采用 Trench 技術(shù),具有非常低的導(dǎo)通電阻,確保在高電流下仍能保持優(yōu)異的開關(guān)性能。IPI80N03S4L-04-VB 的低導(dǎo)通電阻和寬閾值電壓范圍使其非常適合用于高效的電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用。

### 二、IPI80N03S4L-04-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO262  
- **溝道配置**:單極 N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:30V  
- **柵極驅(qū)動電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:2V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 2.4mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:98A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高效電源開關(guān)**:
  IPI80N03S4L-04-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。在開關(guān)電源模塊(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,它能夠提供高效的開關(guān)性能,減少能量損耗并提高系統(tǒng)整體效率。

2. **電動工具**:
  電動工具,如電鉆或電動螺絲刀,需要高電流和快速開關(guān)性能。IPI80N03S4L-04-VB 以其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,能夠在電動工具中有效控制電流,提供穩(wěn)定的動力輸出。

3. **電池管理系統(tǒng)**:
  在電池管理系統(tǒng)中,IPI80N03S4L-04-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效地控制和保護電池組。它能夠處理高電流負(fù)載,同時保持高效的功率轉(zhuǎn)換和管理。

4. **電動汽車充電器**:
  電動汽車充電器需要處理高電流和低電壓的轉(zhuǎn)換。IPI80N03S4L-04-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保充電器能夠高效穩(wěn)定地工作,滿足電動汽車的充電需求。

IPI80N03S4L-04-VB 在需要高效、可靠的高電流開關(guān)和控制的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色,能夠在各種電源管理和電力控制模塊中提供優(yōu)異的性能。

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