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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPI80N04S3-H4-VB一款TO262封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPI80N04S3-H4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO262
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2V
  • RDS(ON) 5.7mΩ@VGS=10V
  • ID 75A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPI80N04S3-H4-VB 產(chǎn)品簡介:
IPI80N04S3-H4-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO262,專為高電流開關(guān)和電源管理應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET的漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,開啟閾值電壓(Vth)為2V。采用Trench技術(shù),IPI80N04S3-H4-VB 具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時為5.7mΩ,并支持高達(dá)75A的漏極電流(ID)。這一設(shè)計使其在各種需要高效開關(guān)和高電流處理的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)和直流電機(jī)控制等場合。

### 二、IPI80N04S3-H4-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO262
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓(Vth)**:2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 5.7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:75A
- **技術(shù)類型**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **功耗**:依賴于具體散熱條件
- **封裝外形尺寸**:標(biāo)準(zhǔn)TO262封裝

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源管理**:
  在電源管理系統(tǒng)中,IPI80N04S3-H4-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其特別適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC電源和不間斷電源(UPS)。其Trench技術(shù)確保了高效能的開關(guān)性能,優(yōu)化電源效率,減少能量損失,尤其適合用于高功率電源模塊的高效轉(zhuǎn)換和管理。

2. **直流電機(jī)驅(qū)動**:
  由于IPI80N04S3-H4-VB 具有75A的高電流承載能力和5.7mΩ的低導(dǎo)通電阻,它在直流電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。該器件能夠有效處理電機(jī)啟動和運(yùn)行期間的大電流負(fù)載,適用于電動工具、電動汽車和工業(yè)機(jī)械中的電機(jī)控制,提高電機(jī)控制的效率和穩(wěn)定性。

3. **負(fù)載開關(guān)**:
  在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,IPI80N04S3-H4-VB 提供了高電流開關(guān)能力和低功耗,非常適合用于高電流負(fù)載的開關(guān)和保護(hù)電路。它能夠有效地處理電源中的各種負(fù)載情況,特別是在需要高電流開關(guān)的場合,如開關(guān)電源和負(fù)載保護(hù)系統(tǒng),確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。

4. **電池管理**:
  IPI80N04S3-H4-VB 的高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是在電動汽車和儲能系統(tǒng)中。它能夠有效地進(jìn)行電池充放電管理、保護(hù)和電流調(diào)節(jié),優(yōu)化電池性能和系統(tǒng)的整體效能。

IPI80N04S3-H4-VB 的高性能特點(diǎn)和廣泛應(yīng)用范圍,使其在功率轉(zhuǎn)換、電流控制和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在高效能和高電流負(fù)載需求的場合中提供可靠的解決方案。

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