91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

IPP023N10N5-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP023N10N5-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IPP023N10N5-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IPP023N10N5-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 支持最高 100V 的漏源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵源極電壓(VGS),具有 3V 的開啟電壓(Vth)。其導(dǎo)通電阻在 VGS=10V 時(shí)為 5mΩ,能夠處理高達(dá) 120A 的漏極電流。采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),使得 MOSFET 在高電流和高電壓應(yīng)用中具有優(yōu)越的性能和高效能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220
- **極性配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench 溝槽型 MOSFET 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高功率電源轉(zhuǎn)換器**:IPP023N10N5-VB 在高功率電源轉(zhuǎn)換器中非常適合,如開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于減少功率損耗,提高轉(zhuǎn)換效率,特別是在高功率密度應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2. **電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠有效處理高電流需求。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力有助于提高電機(jī)的驅(qū)動(dòng)效率,降低功耗和熱量,適用于電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)控制模塊。

3. **大功率負(fù)載開關(guān)**:由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,IPP023N10N5-VB 是大功率負(fù)載開關(guān)的理想選擇。它能夠在高電流負(fù)載下穩(wěn)定工作,適用于高功率開關(guān)電源和負(fù)載控制應(yīng)用,確保開關(guān)性能的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **工業(yè)電源管理系統(tǒng)**:在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 提供高效的電流開關(guān)功能。它適用于需要高電流處理和低功耗的電源管理應(yīng)用,如工業(yè)設(shè)備的電源模塊和保護(hù)電路,幫助提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

IPP023N10N5-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高功率電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)、大功率負(fù)載開關(guān)和工業(yè)電源管理系統(tǒng)等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異,特別適合需要高效能和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    517瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    441瀏覽量