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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP040N06N-VB一款TO220封裝N-Channel場效應MOS管

型號: IPP040N06N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
  • ID 210A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP040N06N-VB 產(chǎn)品簡介:

IPP040N06N-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO220,專為處理高電流和高電壓的應用而設計。該MOSFET具有60V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS),開啟閾值電壓(Vth)為3V。采用Trench技術,IPP040N06N-VB 具備極低的導通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時為3mΩ,在VGS為4.5V時為9mΩ,支持高達210A的漏極電流(ID)。這種特性使其在需要高效能開關和高電流處理的應用中表現(xiàn)出色,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和負載開關等領域。

### 二、IPP040N06N-VB 詳細參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓(Vth)**:3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=10V
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流(ID)**:210A
- **技術類型**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **功耗**:依賴于具體散熱條件
- **封裝外形尺寸**:標準TO220封裝

### 三、應用領域和模塊舉例:

1. **電源管理**:
  IPP040N06N-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其在電源管理應用中表現(xiàn)出色。特別是在DC-DC轉換器、AC-DC電源和開關電源中,該MOSFET 能夠高效地進行功率轉換,降低能量損失,提高整體系統(tǒng)效率。這使得它非常適合于高功率電源模塊的設計和優(yōu)化,尤其是在需要處理高電流的電源轉換場合。

2. **直流電機驅(qū)動**:
  由于其210A的高電流承載能力和極低的RDS(ON),IPP040N06N-VB 在直流電機驅(qū)動應用中表現(xiàn)優(yōu)異。該MOSFET 能夠有效處理電機啟動和運行期間的大電流負載,適用于電動工具、電動汽車和工業(yè)機械中的電機控制系統(tǒng),提升電機控制的效率和穩(wěn)定性。

3. **負載開關**:
  在負載開關應用中,IPP040N06N-VB 的高電流能力和低功耗特性使其成為理想選擇。該MOSFET 可用于各種高電流負載的開關和保護電路,例如在電源開關、負載保護和電流控制系統(tǒng)中,確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。

4. **電池管理**:
  IPP040N06N-VB 的高電流處理能力和低導通電阻特點,使其在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,尤其是在電動汽車和儲能系統(tǒng)中。該MOSFET 能夠有效進行電池充放電管理、保護和電流調(diào)節(jié),優(yōu)化電池性能和系統(tǒng)的整體效能。

IPP040N06N-VB 的高電流處理能力和低功耗特性使其在高效能電源轉換、電機驅(qū)動和負載開關應用中表現(xiàn)優(yōu)異,為各種高電流和高功率需求的場合提供了可靠的解決方案。

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