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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP045N10N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP045N10N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP045N10N3 G-VB 產(chǎn)品簡介

IPP045N10N3 G-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的漏源擊穿電壓為 100V,最大漏極電流高達(dá) 120A。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高效能的電子設(shè)備中表現(xiàn)卓越。采用 Trench 技術(shù),這款 MOSFET 提供了優(yōu)異的開關(guān)性能和較低的能量損耗,適用于各種高功率和高效率的應(yīng)用場景。

### 二、IPP045N10N3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220  
- **溝道配置**:單極 N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**:100V  
- **柵極驅(qū)動電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 5mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:120A  
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **高功率開關(guān)電源**:
  在高功率開關(guān)電源系統(tǒng)(如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器)中,IPP045N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于大功率負(fù)載的高效開關(guān)。它能夠減少能量損耗,提高電源系統(tǒng)的整體效率,并確保穩(wěn)定可靠的電源輸出。

2. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)**:
  電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)通常需要處理高電流和中等電壓。IPP045N10N3 G-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其在電動汽車電機(jī)控制模塊中提供了高效的電流管理,保證電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行和高效能。

3. **電池管理系統(tǒng)**:
  在電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于優(yōu)化電池的充電和放電過程,提高電池組的性能和安全性。它能夠高效地管理電池電流,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

4. **工業(yè)電源控制**:
  在工業(yè)應(yīng)用中,如大功率設(shè)備和電力控制模塊,IPP045N10N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其適用于需要高效和穩(wěn)定電源控制的場合。例如,在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、逆變器和功率放大器中,這款 MOSFET 能夠提供可靠的開關(guān)性能和高效能。

IPP045N10N3 G-VB 憑借其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,在高功率應(yīng)用中展現(xiàn)了優(yōu)異的性能,滿足了各種需要高效率和高可靠性的電子設(shè)計(jì)需求。

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