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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP048N12N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP048N12N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

IPP048N12N3 G-VB 是一款高性能單N溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓(VDS)為100V,柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為3V。該 MOSFET 在 VGS=10V 時的導(dǎo)通電阻僅為5mΩ,能夠支持高達120A的漏極電流(ID)?;谙冗M的 Trench 技術(shù),IPP048N12N3 G-VB 提供了極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的電流處理能力,非常適合高功率開關(guān)和高效率電源應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO220  
2. **配置**:單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**:100V  
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
5. **閾值電壓 (Vth)**:3V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 5mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:120A  
8. **技術(shù)**:Trench技術(shù)  
9. **總柵極電荷 (Qg)**:低,適合快速開關(guān)  
10. **功耗 (Ptot)**:適合高功率應(yīng)用  
11. **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C  
12. **結(jié)溫 (Tj)**:可承受高溫操作

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **高效能電源開關(guān)**:IPP048N12N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在高效能電源開關(guān)模塊中表現(xiàn)優(yōu)異,例如高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 電源適配器。它能夠顯著降低功率損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率,適用于高功率電源設(shè)計。

2. **電動汽車和電池管理系統(tǒng)**:在電動汽車和電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了電池管理系統(tǒng)的高效能和可靠性,特別適用于電池開關(guān)和電動機驅(qū)動系統(tǒng)。其高耐壓特性使其能在苛刻的電池管理環(huán)境中穩(wěn)定工作。

3. **工業(yè)控制和電機驅(qū)動**:在工業(yè)控制系統(tǒng)和電機驅(qū)動應(yīng)用中,IPP048N12N3 G-VB 提供穩(wěn)定的性能和高效的開關(guān)功能。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于控制高功率負載,如工業(yè)電機驅(qū)動和負載開關(guān),能夠有效提高系統(tǒng)的整體效率。

4. **消費電子產(chǎn)品**:在高功率消費電子產(chǎn)品(如高功率充電器、功率放大器等)中,這款 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高設(shè)備的整體能效,特別適用于需要高效能和高功率控制的電子設(shè)備。

IPP048N12N3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,使其在高效能電源開關(guān)、電動汽車、電池管理系統(tǒng)、工業(yè)控制以及消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域中表現(xiàn)卓越,能夠有效提升系統(tǒng)的效率和可靠性。

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