--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IPP04N03LA-VB 產(chǎn)品簡介:
IPP04N03LA-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO220。這款MOSFET專為高電流和高效率應(yīng)用設(shè)計,具有30V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS)。其開啟閾值電壓(Vth)為1.7V,采用Trench技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時為3mΩ,在VGS為4.5V時為4mΩ。支持高達120A的漏極電流(ID),使其在需要高效開關(guān)和大電流處理的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于電源管理、直流電機驅(qū)動和負載開關(guān)等領(lǐng)域。
### 二、IPP04N03LA-VB 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=10V
- 4mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流(ID)**:120A
- **技術(shù)類型**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **功耗**:依賴于具體散熱條件
- **封裝外形尺寸**:標準TO220封裝
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源管理**:
IPP04N03LA-VB 在電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠高效地處理大電流負載,減少能量損失,提高電源轉(zhuǎn)換效率。這使得它成為高功率電源模塊設(shè)計中的理想選擇,特別是在需要高效能的電源系統(tǒng)中。
2. **直流電機驅(qū)動**:
由于其120A的高電流處理能力和低RDS(ON),IPP04N03LA-VB 在直流電機驅(qū)動應(yīng)用中具有出色的表現(xiàn)。它能夠在電機啟動和運行期間處理大電流負載,適用于電動工具、電動汽車和工業(yè)設(shè)備中的電機控制系統(tǒng),提供高效能和可靠性。
3. **負載開關(guān)**:
在負載開關(guān)應(yīng)用中,IPP04N03LA-VB 的高電流能力和低功耗特性使其成為理想選擇。它可以用于各種高電流負載的開關(guān)和保護電路,例如電源開關(guān)、負載保護和電流控制系統(tǒng)。其高效率和低功耗特性能夠確保系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
4. **電池管理**:
IPP04N03LA-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在電池管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在電動汽車和儲能系統(tǒng)中。它能夠有效地進行電池充放電管理、保護和電流調(diào)節(jié),優(yōu)化電池系統(tǒng)的性能和壽命。
IPP04N03LA-VB 的高電流處理能力和低功耗特性使其在高效能電源轉(zhuǎn)換、直流電機驅(qū)動和負載開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,為各種高電流和高功率需求的場合提供了可靠的解決方案。
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