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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IPP072N10N3 G-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): IPP072N10N3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**IPP072N10N3 G-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封裝,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 具有顯著的低導(dǎo)通電阻和寬柵極電壓范圍,使其在各種電源開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。其 Trench 技術(shù)的應(yīng)用保證了高效的電氣性能和優(yōu)良的熱穩(wěn)定性,確保了在高功率密度的環(huán)境下可靠地工作。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO220
- **配置**:?jiǎn)?N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵源閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:120A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:在電源轉(zhuǎn)換器中,IPP072N10N3 G-VB 可以作為主要開(kāi)關(guān)元件使用,其低 RDS(ON) 值有助于降低開(kāi)關(guān)損耗,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率。這使其在高效率開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中具有重要作用。

2. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)控制中,此 MOSFET 可以用作高電流開(kāi)關(guān),提供可靠的電流控制。其高漏源電壓和大電流承載能力保證了電動(dòng)汽車在高功率運(yùn)行下的穩(wěn)定性和安全性。

3. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源應(yīng)用中,IPP072N10N3 G-VB 可用于高功率開(kāi)關(guān)模塊,提供高效的功率控制。其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和高電壓承載能力使其適用于要求嚴(yán)格的工業(yè)電源系統(tǒng)。

4. **高功率 LED 驅(qū)動(dòng)**:在高功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路中,此 MOSFET 可作為開(kāi)關(guān)控制元件,以穩(wěn)定高效地管理 LED 的電流,確保其長(zhǎng)壽命和高亮度。低 RDS(ON) 值幫助減少熱量產(chǎn)生,提高系統(tǒng)效率。

5. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,IPP072N10N3 G-VB 可以作為功率開(kāi)關(guān)使用,控制電機(jī)的電流和功率分配。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高電機(jī)的運(yùn)行效率和性能。

這些應(yīng)用示例展示了 IPP072N10N3 G-VB 在高電壓和高電流環(huán)境中的廣泛適用性,突顯了其在各種高性能電子設(shè)計(jì)中的重要性。

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