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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP075N15N3-G-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP075N15N3-G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 8.5mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IPP075N15N3-G-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,封裝為TO220。它設(shè)計用于處理高電壓和大電流應(yīng)用,具有極低的導(dǎo)通電阻。該MOSFET的最大漏極-源極電壓(VDS)為150V,適合高電壓環(huán)境。其柵極閾值電壓(Vth)為3V,使其能夠在較低的柵極電壓下開始導(dǎo)通。其低RDS(ON)值和高電流處理能力使其在大電流條件下具有低功耗特性,從而提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IPP075N15N3-G-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單極N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 150V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 8.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高電壓電源管理**: IPP075N15N3-G-VB在高電壓電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別適用于電源轉(zhuǎn)換器和高壓開關(guān)電源。其高VDS和低RDS(ON)特性使其能夠處理高電壓和大電流,同時降低功耗,提供高效的電源轉(zhuǎn)換。

2. **工業(yè)電源**: 在工業(yè)電源系統(tǒng)中,該MOSFET能夠處理大功率負(fù)載和高電壓條件,非常適合用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器和高功率開關(guān)控制。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高電流能力能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **汽車電子**: 在汽車電子應(yīng)用中,IPP075N15N3-G-VB可以用于高電壓電池管理系統(tǒng)和電機(jī)控制器。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性確保了在汽車電氣系統(tǒng)中進(jìn)行高效的功率管理和控制。

4. **通信設(shè)備**: 在通信設(shè)備中,如基站和傳輸設(shè)備,這款MOSFET的高電壓處理能力和低功耗特性使其適合用于高功率放大器和功率轉(zhuǎn)換電路,保證了設(shè)備的可靠性和效率。

IPP075N15N3-G-VB憑借其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,適合各種需要處理高電壓和大電流的應(yīng)用,能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境中提供可靠的性能。

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