--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 120A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IPP084N06L3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IPP084N06L3 G-VB 是一款采用 TO220 封裝的單N溝道MOSFET,設(shè)計(jì)用于高效的電源管理和功率控制應(yīng)用。其額定漏源電壓(VDS)為 60V,最大漏極電流(ID)為 120A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON) = 5mΩ @ VGS = 10V)。該器件可以承受 ±20V 的柵源電壓(VGS),并具有一個(gè)典型的柵極閾值電壓(Vth)為 3V,適合在低壓、高電流條件下工作。由于其高效的導(dǎo)通特性和堅(jiān)固的設(shè)計(jì),它在需要快速開關(guān)性能和高可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
### IPP084N06L3 G-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù) (Trench)
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 300W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **開關(guān)速度**: 快速開關(guān)
- **電容參數(shù)**: 低輸入電容和輸出電容,確保高效的開關(guān)操作
- **抗沖擊能力**: 優(yōu)秀的耐用性,適用于苛刻的工作環(huán)境
### IPP084N06L3 G-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **汽車電子系統(tǒng)**
在汽車電子中,IPP084N06L3 G-VB 可用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電源控制單元(PCU)、電動(dòng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)等。這些系統(tǒng)需要高電流傳輸和低導(dǎo)通損耗,而該MOSFET的低RDS(ON) 和高電流能力使其非常適合這些應(yīng)用。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊**
在電機(jī)控制領(lǐng)域,該MOSFET可用于直流電機(jī)控制器、電動(dòng)工具和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。由于其快速開關(guān)特性和高耐用性,能夠有效提高系統(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)生。
3. **電源轉(zhuǎn)換器和逆變器**
IPP084N06L3 G-VB 在開關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器模塊中有廣泛應(yīng)用。這類系統(tǒng)需要高效的功率轉(zhuǎn)換和低能量損耗,而該器件的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性可顯著提升功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
4. **太陽能光伏逆變器**
在太陽能光伏系統(tǒng)中,該MOSFET可用于逆變器模塊,以高效轉(zhuǎn)換直流電為交流電,同時(shí)減少能量損耗,提高系統(tǒng)的發(fā)電效率。
5. **不間斷電源(UPS)系統(tǒng)**
IPP084N06L3 G-VB 適用于UPS系統(tǒng)中,提供可靠的功率管理和高電流處理能力,確保電力設(shè)備在斷電時(shí)能夠持續(xù)工作。
通過其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,IPP084N06L3 G-VB 能夠在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域中提升系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車和可再生能源系統(tǒng)等。
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